MB8464C-10LLPF是一款由富士通(Fujitsu)推出的高性能、低功耗同步静态随机存取存储器(SRAM),属于其高速CMOS SRAM产品线中的一员。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具备高可靠性和稳定性,适用于需要快速数据存取和高带宽的应用场景。MB8464C-10LLPF的容量为64K x 4位(即256Kbit),组织形式为65,536字深度乘以4位宽度,能够满足多种嵌入式系统和通信设备对中等容量高速缓存的需求。该芯片支持3.3V供电电压,符合现代低电压系统的设计趋势,有助于降低整体系统功耗并提升能效。器件封装形式为44引脚薄型小外形封装(TSOP Type I, 44-pin),便于在空间受限的PCB布局中使用,同时具备良好的散热性能和机械稳定性。MB8464C-10LLPF设计用于工业级工作温度范围(通常为-40°C至+85°C),可在恶劣环境条件下稳定运行,广泛应用于网络设备、电信基础设施、工业控制、测试测量仪器以及军事和航空航天等领域。该SRAM支持标准的同步接口协议,与通用的微处理器、DSP和FPGA等控制器兼容,简化了系统集成过程。此外,该器件具备低待机功耗模式,在不进行读写操作时可自动进入低功耗状态,进一步优化能源使用效率。
制造商:Fujitsu
系列:MB8464C
产品类型:同步SRAM
存储容量:256 Kbit
存储组织:64K x 4
供电电压:3.3V ± 0.3V
访问时间:10 ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:44-TSOP (Type I)
引脚数:44
接口类型:并行,同步
时钟频率:最大可达 100 MHz
输入/输出逻辑电平:LVTTL 兼容
数据总线宽度:4位
刷新模式:无需刷新(SRAM特性)
封装高度:1.0mm 最大
安装方式:表面贴装(SMD)
MB8464C-10LLPF具备卓越的高速访问能力,其典型访问时间仅为10ns,支持高达100MHz的时钟频率,能够在每个时钟周期完成一次数据读写操作,显著提升了系统的数据吞吐能力和响应速度。这种同步架构使得该SRAM能够与主控处理器精确同步,避免了异步SRAM中存在的等待状态问题,从而提高了整体系统效率。该器件采用CMOS技术实现低功耗设计,在正常工作模式下电流消耗较低,并且支持部分低功耗待机模式,当片选信号(CE)无效时,器件自动进入低功耗状态,适合电池供电或对能效有严格要求的应用场景。
该SRAM具有高可靠性和抗干扰能力,内部电路经过优化设计,能够在宽温度范围内保持稳定的电气性能,确保在工业和通信环境中长期可靠运行。其LVTTL兼容的输入输出电平使其能够无缝对接多种主流数字逻辑器件,减少了电平转换电路的需求,降低了系统复杂度和成本。44引脚TSOP封装不仅节省空间,还提供了良好的热传导和机械强度,适合自动化贴片生产和回流焊工艺。此外,MB8464C-10LLPF遵循JEDEC标准封装尺寸,便于替代和升级。器件无须刷新操作,简化了系统软件管理负担,特别适用于实时性要求高的控制系统和高速缓冲应用。富士通对该系列产品提供长期供货保障,适用于需要长期维护和支持的工业和通信项目。
MB8464C-10LLPF广泛应用于需要高速、低延迟数据存取的电子系统中。常见用途包括网络路由器、交换机和基站中的数据缓冲区,用于临时存储转发的数据包信息,提高通信效率。在工业自动化领域,它被用作PLC(可编程逻辑控制器)或运动控制器中的高速缓存,支持实时控制算法的数据处理需求。该器件也适用于测试与测量设备,如示波器、逻辑分析仪等,作为采集数据的暂存区域,确保高速信号不会丢失。在军事和航空航天电子系统中,由于其高可靠性和宽温工作能力,常用于雷达信号处理、飞行控制系统和卫星通信模块中。此外,该SRAM还可用于高性能嵌入式系统、数字信号处理(DSP)平台以及FPGA协处理架构中,作为外部高速存储资源扩展。由于其同步接口特性,特别适合与时钟驱动的处理器协同工作,减少时序匹配问题,提升系统稳定性与性能。
IS61WV5128BLL-10BLI
CY7C1365C-10BZC
IDT71V416SA10PFGI
AS6C62256-55SIN