MB84027B是一款由富士通(Fujitsu)公司推出的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为16K x 4位,采用高速CMOS工艺制造。这款芯片广泛应用于需要高速数据存取和低功耗的场合,例如工业控制系统、通信设备、测试仪器和嵌入式系统。MB84027B具有高度的可靠性和稳定性,支持工业级温度范围,适合在各种恶劣环境下运行。该芯片采用标准的异步SRAM架构,提供快速的读写响应,适合需要频繁访问存储器的应用场景。
容量:16K x 4位
电源电压:5V
访问时间:12ns(典型值)
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:28引脚SSOP、28引脚SOIC等
输入/输出逻辑电平:TTL兼容
最大读取电流:180mA(典型值)
待机电流:10mA(典型值)
读写周期时间:40ns(最小值)
MB84027B具有高速访问时间(12ns)和较低的功耗,适合高速缓存和缓冲存储器应用。其异步SRAM架构允许直接连接到各种微处理器和控制器,无需额外的时序控制电路。该芯片支持全地址和数据总线操作,提供灵活的地址解码功能,允许用户轻松扩展存储容量。此外,MB84027B具备自动低功耗模式,在未被访问时进入待机状态,从而降低整体功耗。其TTL兼容的输入/输出电平使其能够直接与多种数字电路接口,无需电平转换器。芯片采用CMOS技术制造,提高了抗干扰能力,并降低了漏电流,提高了系统的稳定性。
MB84027B主要用于需要高速存储器访问的场合,如网络路由器和交换机的缓冲存储器、工业控制系统的数据缓存、测量仪器的临时数据存储以及嵌入式系统的高速缓存。此外,该芯片也可用于需要低功耗设计的便携式设备,如手持测试仪器和智能传感器。在需要可靠性和稳定性保障的航空航天和汽车电子系统中,MB84027B同样具有广泛的应用前景。
CY62167VLL-S70BTR、IDT71V416SA、AS6C6216-55PCN-B