FMV19N57ES 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换系统中。这款MOSFET采用了先进的硅技术,具备高效率、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于工业电源、DC-DC转换器、UPS系统以及各种高功率电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):500V
最大漏极电流(Id):19A
导通电阻(Rds(on)):约0.27Ω(典型值)
最大功耗(Pd):60W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
漏源击穿电压(BVDSS):500V
最大栅极电压(Vgs):±30V
FMV19N57ES MOSFET采用先进的平面硅技术,提供较低的导通电阻,有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件具有优异的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。其高击穿电压和大电流承受能力使其适用于高功率应用。此外,该MOSFET具备快速开关特性,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其TO-220封装设计有助于良好的散热性能,确保在高负载条件下的可靠性。该器件还具有良好的抗雪崩能力,能够承受瞬态过电压冲击,提高系统稳定性。
在驱动特性方面,FMV19N57ES的栅极电荷较低,使得驱动电路的设计更为简单,同时减少了开关损耗。其栅极阈值电压范围适中,兼容常见的驱动电路设计。漏源极之间的寄生电容较小,有助于提高开关速度和减少开关损耗。此外,该器件具备良好的短路耐受能力,可在极端工况下提供可靠的保护。
在可靠性方面,FMV19N57ES采用了高纯度硅材料和优化的封装工艺,确保了器件的长期稳定性和耐用性。其封装材料具有良好的热导率,有助于快速散发热量,防止器件过热损坏。器件内部结构设计优化,减少了寄生效应,提高了整体性能。
FMV19N57ES广泛应用于各类功率电子系统中,如工业电源、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电机驱动系统以及高功率LED照明系统。此外,它还可用于电池管理系统(BMS)和储能系统中的功率控制电路。
RFP50N06, IRF540N, FDP16N50, FQA19N50C