时间：2025/8/9 10:40:44
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FMV19N57ES 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。这款MOSFET采用了先进的硅技术，具备高效率、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于工业电源、DC-DC转换器、UPS系统以及各种高功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：19A
导通电阻（Rds(on)）：约0.27Ω（典型值）
最大功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
漏源击穿电压（BVDSS）：500V
最大栅极电压（Vgs）：±30V
FMV19N57ES MOSFET采用先进的平面硅技术，提供较低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其高击穿电压和大电流承受能力使其适用于高功率应用。此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其TO-220封装设计有助于良好的散热性能，确保在高负载条件下的可靠性。该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压冲击，提高系统稳定性。
在驱动特性方面，FMV19N57ES的栅极电荷较低，使得驱动电路的设计更为简单，同时减少了开关损耗。其栅极阈值电压范围适中，兼容常见的驱动电路设计。漏源极之间的寄生电容较小，有助于提高开关速度和减少开关损耗。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，可在极端工况下提供可靠的保护。
在可靠性方面，FMV19N57ES采用了高纯度硅材料和优化的封装工艺，确保了器件的长期稳定性和耐用性。其封装材料具有良好的热导率，有助于快速散发热量，防止器件过热损坏。器件内部结构设计优化，减少了寄生效应，提高了整体性能。
FMV19N57ES广泛应用于各类功率电子系统中，如工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动系统以及高功率LED照明系统。此外，它还可用于电池管理系统（BMS）和储能系统中的功率控制电路。
RFP50N06, IRF540N, FDP16N50, FQA19N50C
