时间：2025/8/9 3:30:58
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MB82DBS16641BGL是一款由富士通（Fujitsu）推出的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等特点，适用于需要高性能和稳定性的嵌入式系统和工业设备。
类型：静态随机存取存储器（SRAM）
容量：1Mbit（128K x 8）
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：55ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保持电压：1.0V
最大工作频率：约18MHz
功耗（典型值）：100mA（运行模式），10mA（待机模式）
MB82DBS16641BGL是一款高速SRAM芯片，具备低功耗设计，可在多种工作条件下提供稳定性能。该芯片支持低电压数据保持功能，确保在断电情况下数据不会丢失。其高速访问时间（55ns）使得它非常适合用于缓存、缓冲存储器或实时控制系统中。
此外，该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的抗干扰能力，同时在待机模式下功耗极低，适用于电池供电设备和嵌入式系统。TSOP封装形式有助于减小PCB面积，提高系统集成度，并且具有良好的散热性能。
MB82DBS16641BGL还具备自动省电模式，当芯片未被访问时会自动进入低功耗状态，进一步延长设备的电池寿命。其广泛的工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于工业自动化、车载电子、通信设备等严苛环境。
该芯片广泛应用于工业控制系统、嵌入式系统、通信设备、测试仪器、便携式设备以及需要高速缓存和低功耗存储的场景。例如，它可作为微控制器的外部存储器、数据缓冲区或高速缓存使用。
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