时间：2025/8/9 10:31:52
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MB82DBS08164D70LTBGERE1 是一款由富士通（Fujitsu）制造的异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用了高速CMOS技术，提供可靠的读写性能，适用于需要快速数据访问和高稳定性的应用环境。SRAM芯片广泛用于网络设备、工业控制、通信设备以及嵌入式系统中，作为高速缓存或临时数据存储器使用。MB82DBS08164D70LTBGERE1 具备低功耗设计，并支持多种工作电压，适合在不同应用场景下使用。
容量：8MB（512K x 16）
访问时间：70ns
电源电压：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
接口类型：并行
读写模式：异步
最大工作频率：约14MHz
封装尺寸：约8mm x 14mm
MB82DBS08164D70LTBGERE1 是一款高性能的异步SRAM芯片，具备高速读写能力和低功耗特性。其访问时间为70纳秒，能够在较高频率下稳定运行，适用于对数据访问速度有较高要求的系统。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的抗干扰能力，并且在宽电压范围内工作，支持2.3V至3.6V的电源供应，适应不同的电源设计需求。
此外，MB82DBS08164D70LTBGERE1 支持异步操作模式，能够灵活地与不同类型的主控芯片进行通信。其512K x 16位的存储结构提供了8MB的总容量，适用于需要较大存储空间的应用场景，如图像缓存、数据缓冲等。芯片内部具备地址锁存功能，能够减少外部控制信号的复杂度，提高系统集成的便利性。
该芯片还具备宽温工作范围，可在-40°C至+85°C之间正常运行，适合工业级和车载级应用。TSOP封装形式不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，适用于空间受限但要求高性能的设计。MB82DBS08164D70LTBGERE1 在设计上兼顾了高速、低功耗和稳定性，是一款适用于多种嵌入式系统的理想SRAM解决方案。
MB82DBS08164D70LTBGERE1 适用于多种高性能存储需求的电子系统。在通信设备中，该芯片可作为高速缓存用于临时存储网络数据包或路由信息。在工业控制系统中，它可以用于存储运行时的程序变量和实时数据。此外，该芯片也适用于医疗设备、测试仪器和嵌入式系统中，作为图像缓存或临时数据存储器使用。在消费类电子产品中，例如游戏机和高性能音频设备中，该芯片可用于提升数据访问速度和系统响应能力。由于其宽温工作特性和工业级可靠性，该芯片也可用于车载电子系统、安防设备和自动化控制系统。
ISSI IS61LV51216-70BLLI-TR, Cypress CY62157EV30LL-70BGI, Renesas IDT71V416S70PFGI, Alliance AS6C6216-70PCN2
