MB8264-20 时间：2025/9/24 14:57:19 阅读：13

MB8264-20是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于异步SRAM系列，具有高可靠性和低功耗特性，广泛应用于需要快速数据存取和稳定性能的工业控制、通信设备及嵌入式系统中。MB8264-20采用64K x 1位组织结构，总容量为64K比特（8KB），工作电压通常为5V±10%，适用于标准TTL电平接口环境。该芯片封装形式多为28引脚DIP（双列直插式封装）或SOIC（小外形集成电路封装），具备商业级和工业级温度范围版本，确保在不同环境条件下均能稳定运行。
　　作为早期广泛应用的SRAM型号之一，MB8264-20以其成熟的设计、良好的兼容性和稳定的供货历史，在许多老旧设备维护和替代升级项目中仍然具有重要价值。其读写操作无需刷新机制，简化了系统设计，并支持全静态操作，允许时钟暂停而不丢失数据，适合用于缓存、数据缓冲区以及实时控制系统中的临时存储需求。尽管随着技术进步，更高密度和更低功耗的存储器不断涌现，但MB8264-20因其简单易用和长期可用性，在特定领域仍保有一定市场份额。

参数

型号：MB8264-20
　　容量：64K x 1位
　　电源电压：5V ± 10%
　　访问时间：20ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）；-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装类型：28-DIP、28-SOIC
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　待机电流：≤ 5mA
　　工作电流：≤ 55mA
　　组织方式：64,536字 × 1位
　　读写模式：异步随机存取
　　三态输出：支持
　　控制信号：CE（片选）、OE（输出使能）、WE（写使能）

特性

MB8264-20的高性能静态存储架构基于先进的CMOS工艺制造，实现了高速度与低功耗之间的良好平衡。其核心特性之一是20纳秒的快速访问时间，使得该芯片能够在高频系统时钟下完成读写操作，满足对响应速度要求较高的应用场景需求。由于采用全静态设计，内部电路不会随时间自动丢失数据，只要供电持续且控制信号正确，即可保持信息稳定，允许系统在任意时刻暂停操作而无需担心数据丢失，这在实时控制系统和调试过程中尤为关键。
　　该芯片具备完整的三态输出控制功能，允许多个SRAM或其他外设共享同一数据总线，通过OE（输出使能）信号实现输出端口的有效隔离，避免总线冲突，提升系统的扩展能力和灵活性。其控制逻辑清晰明了，包含三个主要控制引脚：CE（片选）、WE（写使能）和OE（输出使能），支持标准的异步读写协议，易于与各类微处理器、微控制器和DMA控制器直接接口，无需额外的时序匹配电路。
　　此外，MB8264-20具有较低的功耗表现，在典型工作条件下工作电流不超过55mA，待机模式下更可降至5mA以下，有助于降低系统整体能耗，延长设备使用寿命，尤其适用于对散热和电源效率敏感的应用场合。所有输入端均内置上拉或下拉电阻，增强了抗噪声能力，提高了信号稳定性。芯片还具备良好的抗辐射和抗干扰性能，经过严格的质量测试，符合工业级可靠性标准，确保在恶劣环境下长期稳定运行。

应用

MB8264-20广泛应用于多种需要高速、可靠、非刷新式数据存储的电子系统中。在通信设备领域，常被用作帧缓冲器、协议转换器的数据暂存区或路由器中的查找表存储单元，利用其快速访问能力提升数据处理效率。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）的中间变量存储、运动控制卡的状态寄存器或人机界面的数据缓存模块，保障实时任务的及时响应。
　　在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪等设备，MB8264-20可用于采集数据的临时存储，配合高速ADC进行连续采样，确保不丢失关键信号片段。此外，在医疗电子设备、航空电子系统以及军事装备中，由于其高可靠性和宽温工作能力，也被用于关键子系统的状态记录和配置信息保存。
　　在嵌入式开发板和教学实验平台上，MB8264-20因其接口简单、时序明确，成为学习SRAM原理和总线操作的理想器件。同时，在老旧设备的维修与替换中，该型号仍是许多原始设计中指定使用的存储芯片，因此在备件市场和替代升级方案中持续发挥作用。