IRFIZ24N 时间：2025/12/26 18:25:33 阅读：16

IRFIZ24N是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机控制和开关电路中。该器件采用先进的沟槽栅极技术和场截止技术，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能。IRFIZ24N专为在高频开关条件下实现低损耗而设计，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、逆变器以及各类消费类电子设备中的电源模块。其封装形式为PG-TO220-3，具备良好的散热能力和机械稳定性，适合工业级应用环境。该MOSFET可在较高的结温下稳定工作，具备较强的鲁棒性和可靠性，能够承受一定的雪崩能量，增强了系统在异常工况下的安全性。
　　由于其优化的动态特性，IRFIZ24N在快速开关过程中表现出较低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗，提高了整体能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造的需求。通过合理设计驱动电路和散热方案，IRFIZ24N能够在多种拓扑结构中发挥出色性能，如同步整流、半桥和全桥配置等。总体而言，IRFIZ24N是一款高性能、高性价比的功率MOSFET，适用于中等功率范围内的高效开关应用。

参数

型号：IRFIZ24N
　　类型：N沟道
　　漏源电压VDS：60V
　　连续漏极电流ID：130A
　　脉冲漏极电流IDM：520A
　　导通电阻RDS(on)：max 1.8mΩ @ VGS=10V, ID=65A
　　栅极阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：typ 10900pF @ VDS=30V
　　输出电容Coss：typ 2800pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间trr：typ 40ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：PG-TO220-3

特性

IRFIZ24N具备多项优异的电气与热性能特征，使其成为中高功率开关应用的理想选择。首先，其极低的导通电阻RDS(on)可显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率，尤其在大电流负载条件下优势更为明显。例如，在电池供电系统或大电流DC-DC变换器中，低RDS(on)有助于减少发热，延长设备使用寿命并简化散热设计。其次，该器件采用了英飞凌先进的沟槽栅极技术，不仅提升了单位面积的电流承载能力，还优化了载流子迁移路径，进一步降低了导通压降和开关损耗。
　　在动态性能方面，IRFIZ24N具有较低的输入和输出电容，配合适中的栅极电荷（Qg），使其在高频开关操作中表现优异。这使得它非常适合用于高频率PWM控制场景，如开关电源（SMPS）、同步整流拓扑以及电机驱动中的H桥电路。此外，较短的反向恢复时间（trr）意味着体二极管在换流过程中的反向恢复电荷较小，从而减少了与之配对的MOSFET或二极管的应力，避免了不必要的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。
　　热稳定性方面，IRFIZ24N可在高达+175°C的结温下安全运行，具备出色的过温耐受能力。其PG-TO220-3封装提供了优良的热传导路径，便于安装散热片以增强散热效果。同时，该器件经过严格测试，具备一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载断开时吸收一定能量而不损坏，提高了系统的可靠性和鲁棒性。
　　此外，IRFIZ24N符合工业级质量标准，具备高抗扰度和长期工作稳定性。其引脚排列兼容标准TO-220封装，方便替换现有设计中的同类产品。整体来看，该MOSFET结合了高性能、高可靠性和易用性，适用于对效率和可靠性要求较高的电力电子系统。

应用

IRFIZ24N广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具电源模块、光伏逆变器、UPS不间断电源、电机驱动器（如风扇、泵、压缩机控制）、照明镇流器以及工业自动化控制系统。其高电流承载能力和低导通损耗特别适合用于大功率同步整流电路和H桥驱动拓扑。此外，也可用于汽车辅助电源系统、充电桩内部电源管理单元以及家用电器中的功率开关模块。由于其良好的高温工作性能，也适用于环境温度较高的工业现场设备中。