型号：MB81C81-55
　　容量：8K x 8位
　　组织结构：8192字 × 8位
　　供电电压：5V ±10%
　　访问时间：55ns
　　工作电流：典型值35mA（最大55mA）
　　待机电流：典型值10μA
　　输入电平：TTL兼容
　　输出驱动能力：可驱动一个TTL负载
　　封装形式：48引脚DIP或PLCC
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级），-40°C 至 +85°C（工业级）
　　存储温度：-65°C 至 +150°C

MB81C81-55具备多项关键特性，使其在当时成为高性能嵌入式系统和通信设备中的理想选择。首先，其55纳秒的高速访问时间显著提升了数据读写效率，能够在不牺牲稳定性的情况下满足高频操作需求，适用于需要快速响应的实时控制系统。其次，该芯片采用CMOS工艺制造，在保证高速性能的同时实现了较低的功耗水平，尤其在待机模式下电流消耗极低，有助于延长系统电池寿命或减少散热负担，特别适合便携式或封闭式设备使用。
　　该SRAM器件具有全静态操作特性，无需时钟信号或刷新周期即可维持数据，简化了系统设计并降低了对外围电路的要求。地址和数据线完全独立，支持异步读写控制，通过片选（CE）、写使能（WE）和输出使能（OE）三个控制信号实现精确的存取管理，增强了系统的灵活性与可靠性。此外，所有输入端均内置施密特触发器，提高了抗噪声能力和信号完整性，即使在存在较大电磁干扰的工业环境中也能稳定运行。
　　MB81C81-55还具备高可靠性和长寿命特点，经过严格的老化测试和质量控制流程，能够在宽温度范围内持续工作而不会出现数据丢失或性能下降。其封装设计符合行业标准，便于手工焊接或自动化装配，并支持与其他同类SRAM芯片进行并联扩展，以构建更大容量或更宽数据总线的存储系统。尽管该型号目前已逐渐退出主流市场，但由于其出色的兼容性和稳定性，仍在许多老旧设备维护、军事装备升级和教育实验平台中发挥着重要作用。

MB81C81-55广泛应用于多个技术领域，尤其是在20世纪末期的电子系统中扮演了重要角色。其主要应用场景包括工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和过程监控设备，这些系统依赖于快速、可靠的内存来存储中间计算结果和运行参数。在通信设备中，该芯片常用于电话交换机、调制解调器和网络桥接器等装置，作为帧缓冲区或协议处理缓存，确保数据包的高效转发与临时存储。
　　此外，MB81C81-55也被集成于早期的微型计算机和工作站中，用作主内存或高速缓存模块的一部分，支持Z80、68000等经典微处理器架构的运行。在测试与测量仪器领域，例如数字示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪中，该SRAM用于采集和暂存大量实时信号数据，以便后续处理和显示。由于其TTL电平兼容性和稳定的电气特性，它也常见于各种嵌入式控制器、打印机主板和图形终端设备中。
　　目前，虽然新型低功耗、高密度SRAM已广泛普及，但MB81C81-55仍在设备维修、备件替换和复古计算爱好者项目中具有实际应用价值。特别是在军工、航空航天和铁路交通等对元器件寿命和长期供货稳定性有特殊要求的行业中，该型号仍被视为可靠的替代或延续解决方案。同时，其清晰的数据手册和成熟的接口设计也使其成为教学实验和电子工程培训中的常用元件，帮助学生理解存储器原理和总线操作机制。

IS61C81055I-55N