时间：2025/8/13 15:10:33
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LN7002LT1G是一款由LRC（乐山无线电）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，适合在各种高频率和高效率的场合使用。LN7002LT1G封装形式为SOT-23，适合表面贴装，具有体积小、重量轻、可靠性高的特点。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：12V
连续漏极电流（ID）：600mA
导通电阻（RDS(on)）：最大3.5Ω（在VGS=4.5V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-23
LN7002LT1G采用了先进的沟槽MOSFET技术，使得其在小尺寸封装中具备良好的电气性能。该器件的导通电阻较低，在VGS=4.5V时最大仅为3.5Ω，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该MOSFET具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，能够有效降低开关损耗。
由于其SOT-23封装体积小巧，非常适合在空间受限的电路板设计中使用。同时，该封装具有良好的散热性能，能够保证器件在高电流工作条件下的稳定性。LN7002LT1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费类电子产品。
该器件还具有较高的栅极稳定性，栅源电压可达12V，确保在不同的控制信号下都能可靠导通或关断。其漏极电流能力为600mA，适合用于小功率电源开关、LED驱动、负载开关控制等应用场景。
LN7002LT1G常用于电源管理电路中，如DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关控制等。此外，它也广泛应用于便携式电子设备中的LED驱动电路、微电机驱动、继电器替代以及信号开关等场景。由于其高可靠性和小尺寸封装，该MOSFET也适用于需要空间优化和高效能的消费类电子产品设计。
2N7002LT1G, 2N7002K, BSS138, 2N3904
