时间：2025/8/8 17:32:21
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MB81C79A-45P-SK-G是一款由富士通（Fujitsu）制造的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高速存储器解决方案，广泛应用于需要快速数据存取的工业控制、网络设备、通信系统等领域。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗和高可靠性的特点。其主要特点是高速访问时间、低功耗运行和广泛的温度适应能力，适合于需要高性能存储的嵌入式系统设计。
容量：16K x 8位
组织结构：16KB SRAM
访问时间：45ns
电源电压：3.3V或5V兼容
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装类型：44引脚塑料封装（PLCC）
封装尺寸：符合标准PLCC封装尺寸
封装型号：44-PLCC
功耗：典型值为100mA（待机模式下电流小于10mA）
数据保持电压：2V（在数据保持模式下）
最大工作频率：约18MHz
引脚排列：标准SRAM引脚排列
输入/输出电平：TTL兼容
MB81C79A-45P-SK-G是一款高性能SRAM芯片，其核心特性包括高速访问时间和低功耗设计。其45ns的访问时间使得该芯片能够在高速数据传输环境中稳定运行，适用于对响应时间要求较高的系统应用。芯片支持3.3V或5V的电源供电，具备良好的电压兼容性，方便在不同电路系统中使用。此外，其工业级工作温度范围确保了芯片在极端环境下的稳定性与可靠性。
MB81C79A-45P-SK-G采用CMOS工艺制造，具备高抗干扰能力和低静态电流，进一步降低了系统整体的功耗需求。在待机模式下，芯片的电流消耗可降至10mA以下，有助于延长设备的电池寿命。此外，该芯片在数据保持模式下能够维持数据在2V以上的电压水平，适用于需要断电保护的应用场景。
该SRAM芯片的44引脚PLCC封装不仅符合行业标准，还提供了良好的热稳定性和机械强度，适合在工业自动化、通信设备和嵌入式系统中使用。其TTL兼容的输入/输出电平简化了与外部控制器的接口设计，提高了系统的兼容性与灵活性。
MB81C79A-45P-SK-G常用于需要高速数据缓存和临时存储的场景，如工业控制系统的数据缓冲、通信设备的帧缓存、网络路由器和交换机的数据存储、测试仪器的临时数据存储等。此外，该芯片还可用于嵌入式系统中的程序存储和高速数据采集设备中的缓存管理。
MB81C79B-45P-SK-G, CY62167EY-45ZSXI, IDT71V416SA-45Q, AS7C31026C-45BCI-TR
