MB81C78A-35PF是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于低功耗、高速度的异步SRAM产品系列,广泛应用于需要快速数据存取和高可靠性的电子系统中。MB81C78A-35PF采用先进的CMOS工艺制造,具备出色的噪声抑制能力和稳定性,适合在工业控制、通信设备、网络基础设施以及嵌入式系统等对性能要求较高的领域使用。该芯片封装形式为44引脚PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier),具有较小的物理尺寸和良好的散热性能,便于在紧凑型电路板上布局。其工作电压通常为5V ±10%,能够在较宽的温度范围内稳定运行,工业级工作温度范围一般为-40°C至+85°C,适用于恶劣环境下的长期工作。
MB81C78A-35PF的命名规则中,“MB”代表富士通半导体的产品前缀,“81C”表示其为CMOS SRAM器件,“78A”为具体型号标识,“35”代表最大访问时间35纳秒,“PF”则指代其封装类型为PLCC。这款SRAM提供256K位(32K × 8位)的存储容量,属于并行接口架构,支持地址与数据线独立操作,具备简单的读写时序控制逻辑,易于与微处理器、DSP或ASIC等主控芯片对接集成。由于其非易失性特性不适用,该芯片需配合后备电源或EEPROM/Flash等非易失性存储器共同使用以实现关键数据的持久化保存。
型号:MB81C78A-35PF
制造商:Fujitsu
存储类型:SRAM
存储容量:256 Kbit (32K × 8)
供电电压:4.5V ~ 5.5V
最大访问时间:35 ns
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装类型:44-pin PLCC
接口类型:并行
组织结构:32,768 × 8
输入/输出逻辑电平:TTL兼容
待机电流:≤ 2 mA
工作电流:≤ 45 mA
写入保护功能:无
刷新需求:无需刷新
MB81C78A-35PF具备优异的高速读写能力,其最大访问时间为35纳秒,能够满足大多数中高端嵌入式系统对实时数据处理的需求。这一速度级别使其可以在不引入等待状态的情况下直接与多种主流微处理器和控制器无缝连接,显著提升系统整体响应效率。此外,得益于CMOS制造工艺的优势,该芯片在保持高速运行的同时仍能维持较低的功耗水平,尤其在待机模式下电流消耗可降至2mA以下,有助于延长便携式设备或远程终端的电池使用寿命。芯片内部采用全静态设计,只要供电持续存在即可无限期保持数据内容,无需像DRAM那样进行周期性刷新操作,从而简化了系统设计复杂度并提高了可靠性。
该器件具有良好的抗干扰能力和电气稳定性,在电源波动和电磁噪声较强的工业环境中仍能稳定运行。所有输入端均具备施密特触发器特性,增强了信号边沿的整形能力,有效防止因信号抖动或反射引起的误触发问题。输出驱动能力强,支持直接驱动多负载总线结构,适用于构建共享内存或多处理器协同工作的应用场景。另外,MB81C78A-35PF的引脚排列经过优化设计,符合行业通用标准,方便PCB布线与热插拔维护。其PLCC封装支持表面贴装工艺,具备一定的抗震性和机械强度,适合自动化生产流程。尽管该型号已逐步被新型低电压SRAM替代,但在现有工业设备升级、备件替换及长期供货项目中依然具有重要应用价值。
MB81C78A-35PF广泛应用于各类需要高速、可靠数据缓存的电子系统中。在工业自动化领域,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)设备和运动控制卡中作为程序缓冲区或临时数据存储单元,确保控制指令和传感器数据能够快速读取与更新。在通信设备中,该芯片被集成于路由器、交换机和基站模块内,用作协议处理过程中的报文暂存或队列管理缓冲区,提高信息转发效率。同时,它也常见于测试测量仪器如示波器、频谱分析仪等精密设备中,用于采集高速采样数据并实现瞬时回放功能。
在医疗电子方面,MB81C78A-35PF可用于影像处理设备的数据帧缓冲,保障图像流的连续性和完整性。此外,该芯片还适用于军事与航空航天领域的嵌入式系统,因其具备宽温工作能力和高可靠性,能够在极端环境下稳定运行。对于需要长期服役且不宜频繁更换部件的应用场景,例如远程监控终端、油田监测装置和轨道交通控制系统,该SRAM凭借其成熟的工艺和稳定的供货历史成为理想选择。虽然当前主流趋势转向更低电压和更高密度的存储方案,但MB81C78A-35PF仍在特定行业市场中占据一席之地,尤其是在老旧系统维护和兼容性要求高的场合。
IS61C256AH-35NIPF
CY7C1021DV33-35ZC
AS6C2568-35PIN