型号：2SK2469
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　功耗（PD）：50W
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.55Ω（@VGS=10V, ID=3.5A）
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1000pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：典型值190pF（@VDS=25V）
　　反向传输电容（Crss）：典型值40pF（@VDS=25V）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

2SK2469的核心优势之一在于其出色的导通与开关性能。该器件采用了东芝成熟的高压MOSFET制造工艺，在保持高耐压的同时实现了相对较低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为0.55Ω，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性尤其适用于持续大电流工作的应用场景，例如AC-DC开关电源中的主开关管或DC-DC升压/降压拓扑中的功率级元件。此外，低RDS(on)还能减少发热，从而降低对散热器的要求，有助于实现更紧凑的系统设计。
　　另一个关键特性是其优秀的高频开关能力。2SK2469具有较小的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），分别约为1000pF和40pF，这使得器件在高频开关过程中所需的驱动能量较少，能够实现更快的上升和下降时间。因此，它非常适合用于工作频率较高的开关电源设计中，如PWM控制器驱动的变换器，可有效减少开关损耗并提升动态响应速度。同时，较低的电容值也减少了米勒效应的影响，提高了器件在高速开关下的抗干扰能力和稳定性。
　　在可靠性方面，2SK2469具备较强的热稳定性和过载承受能力。其最大功耗可达50W，结合TO-220封装良好的热传导性能，可在较高环境温度下长期运行。器件的安全工作区（SOA）经过优化，能够在瞬态过流或短路情况下维持较长时间而不发生损坏，这对于保护后级负载和提升系统鲁棒性至关重要。此外，栅氧化层设计坚固，支持±30V的栅源电压，提供了足够的驱动裕量，防止因驱动信号波动导致的栅极击穿。
　　最后，2SK2469还具备良好的抗雪崩能力，能够在非钳位感性关断（UIS）条件下承受一定的能量冲击，进一步增强了其在实际应用中的耐用性。综合来看，这些特性使2SK2469成为一款适用于中高功率、高效率、高可靠性的理想选择。

2SK2469广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高效能和高稳定性的开关电源设计中表现突出。常见应用包括AC-DC开关电源中的主开关管，用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）或LLC谐振变换器拓扑中，承担能量传递和电压调节功能。由于其500V的高耐压能力，该器件可直接接入整流后的市电母线电压，适用于全球通用电压输入范围（85VAC ~ 265VAC）的电源产品。
　　此外，2SK2469也常用于DC-DC转换器，尤其是在升压（Boost）、降压（Buck）或半桥式结构中作为功率开关使用。这类应用常见于工业电源模块、LED驱动电源、通信设备供电单元等场景。在电机控制领域，该MOSFET可用于小功率直流电机或步进电机的驱动电路中，作为H桥或推挽结构中的开关元件，实现精确的速度和方向控制。
　　在消费类电子产品中，2SK2469可用于电视、显示器、音响设备的内置电源部分；在工业自动化设备中，则可用于PLC电源模块、传感器供电电路或继电器驱动电路。由于其具备良好的热性能和抗干扰能力，也可应用于环境较为恶劣的工业现场设备中。此外，该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源、电池充电器等能量转换装置中，发挥其高效率和高可靠性的优势。

2SK2468
　　2SK2542
　　K2544
　　2SK2640
　　IRFBC40