时间：2025/8/9 4:18:24
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MB81C4256-10PSZ 是一款由 Fujitsu（富士通）公司生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片的存储容量为256Kbit（32K x 8），采用高速CMOS工艺制造，适用于需要快速数据存取和低功耗的应用场景。该芯片封装形式为塑料双列直插式（PDIP），工作温度范围为工业级标准（通常为-40°C至+85°C），确保其在各种工业环境下的稳定运行。
容量：256Kbit (32K x 8)
组织结构：x8
电源电压：5V
访问时间：10ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：PDIP-28
输入/输出电平：TTL兼容
功耗：典型工作电流约120mA
MB81C4256-10PSZ 具有高速访问时间（10ns），能够满足实时系统对数据快速读写的需求。其采用CMOS技术，相比传统的双极型晶体管SRAM，功耗更低，尤其在待机模式下，能够显著减少能源消耗。芯片的TTL电平兼容设计使其能够无缝对接各种微处理器和控制器，简化了系统设计的复杂性。此外，MB81C4256-10PSZ 还具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于工业控制、通信设备、测试仪器等要求苛刻的应用场景。芯片的PDIP封装形式便于手工焊接和调试，适合原型设计和小批量生产使用。
在可靠性方面，该芯片通过了严格的工业标准测试，能够在恶劣的电气和环境条件下保持稳定工作。其数据保持时间较长，无需刷新操作，适合用于缓存、临时数据存储等场景。此外，富士通作为知名的半导体制造商，其SRAM产品线具有较高的市场认可度和长期供货保障，适合用于需要长期维护的项目。
MB81C4256-10PSZ 主要应用于工业控制系统、嵌入式设备、通信模块、测试与测量仪器以及老式计算机或工业PC的扩展内存模块。由于其高速度和低功耗特性，也适用于需要频繁读写数据的实时系统，例如自动化控制设备、数据采集系统和智能仪表等。此外，在需要与TTL电平接口直接连接的场合，该芯片也表现出良好的兼容性和稳定性。
AS7C256A-10TC, CY62256NLL-55ZXI, IDT71256SA10PFG
