时间：2025/8/25 0:27:11
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KF9N50F 和 FDPF10N50FT 是两款常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）型号，广泛用于电源转换、开关电路和电机控制等高功率应用场景。KF9N50F 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于中高功率开关应用。FDPF10N50FT 是 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）出品的一款 N 沟道 MOSFET，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻。
KF9N50F:
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：9A
导通电阻（RDS(on)）：约 0.45Ω
最大功率耗散（PD）：60W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
FDPF10N50FT:
类型：N 沝道 MOSFET
最大漏极电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：约 0.38Ω
最大功率耗散（PD）：110W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
KF9N50F 具有良好的热稳定性和较高的开关速度，适用于各种功率开关电路，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电机驱动电路。其封装形式通常为 TO-220 或 TO-3P，便于散热和安装。该器件在中功率应用中表现出色，具备较好的性价比。
FDPF10N50FT 则具有更低的导通电阻和更高的电流承载能力，适合用于高效率电源系统、高频率开关电路和工业控制设备。其高耐压能力和优异的热性能使其在高温环境下仍能稳定工作，封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，适合自动化装配和高效散热设计。
这两款 MOSFET 主要用于以下应用领域：开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS 系统、LED 照明驱动、工业自动化控制、电池管理系统（BMS）以及家用电器中的功率控制模块。KF9N50F 更适合中等功率场合，而 FDPF10N50FT 更适合高功率、高效率要求的系统。
KF9N50F 可替换为 FDPF10N50FT、IRF9N50C、STF9N50M；FDPF10N50FT 可替换为 KF9N50F、IRF10N50A、STF10N50M
