类型：MOSFET
　　沟道类型：N 沟道 x2
　　漏源电压（Vds）：60V
　　漏极电流（Id）：10A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.8V~4.0V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）
　　安装类型：表面贴装

MB67-22AC/TR8 的主要特性之一是其双 N 沟道 MOSFET 结构，使得该器件可以在多种配置下使用，例如同步整流、H 桥驱动或并联运行以降低功耗。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率，尤其适用于高电流和高频率的应用。该器件还具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
　　此外，MB67-22AC/TR8 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4.5V 至 20V 之间工作，使其兼容多种驱动电路设计。该器件的封装设计也优化了热管理和电气性能，确保在高负载条件下仍能保持可靠运行。其封装材料符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品制造。
　　在动态性能方面，MB67-22AC/TR8 提供了快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。该器件的内部结构设计也有效降低了寄生电容，从而减少了高频应用中的能量损耗。此外，其双 MOSFET 配置允许工程师在设计中灵活配置电路拓扑结构，例如用于半桥或全桥式转换器。

MB67-22AC/TR8 主要用于各种电源管理和功率电子系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、LED 驱动电路以及工业自动化和控制设备中的功率开关应用。
　　在 DC-DC 转换器中，MB67-22AC/TR8 可作为主开关或同步整流管，提供高效的能量转换。在电机驱动应用中，该器件可用于构建 H 桥电路，实现电机的正反转控制。此外，它还可用于设计高效能的电池充放电管理系统，确保能量的高效利用。
　　由于其紧凑的 SOP 封装形式，该器件也非常适合空间受限的设计，如便携式电子设备、无人机电源系统、智能家居设备和物联网（IoT）硬件。在这些应用中，MB67-22AC/TR8 可以帮助工程师实现高效率、高可靠性和紧凑型设计。

Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, NVTFS5C471NLWFTAG, AO4406A