MB60H642 时间：2025/8/8 19:50:34 阅读：27

MB60H642 是一款由 MagnaChip 半导体公司生产的高压功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高电压应用，如电源管理、开关电源（SMPS）、电机驱动和工业控制设备。这款 MOSFET 的设计优化了导通电阻（Rds(on)）和开关损耗，从而提高了整体效率并减少了散热需求。MB60H642 通常采用 TO-220 或 TO-263（D2PAK）等封装形式，以适应不同的电路设计需求。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω（典型值）
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　栅极电荷（Qg）：15nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：700pF（典型值）

特性

MB60H642 MOSFET 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V）允许在高压系统中使用，适用于开关电源、DC-DC 转换器和逆变器设计。其次，低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了系统效率，并减少了散热设计的复杂度。
　　此外，MB60H642 在栅极驱动方面具有较低的输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg），这意味着它可以在高频开关应用中使用，同时降低驱动电路的功耗。该器件的热稳定性良好，能够在较高的环境温度下稳定运行，适合工业级和车载应用。
　　封装方面，MB60H642 常见采用 TO-220 和 TO-263 封装，具有良好的热管理和机械稳定性。这些封装形式也便于在 PCB 上安装和散热片连接，适用于需要高可靠性的设计场景。

应用

MB60H642 主要用于中高功率开关应用，如 AC-DC 和 DC-DC 开关电源、LED 照明驱动器、电机控制电路、变频器和逆变器系统。它也广泛应用于工业自动化设备、家用电器（如空调、洗衣机）的功率控制部分，以及 UPS（不间断电源）和电池管理系统中。由于其高耐压和良好的开关性能，该器件在需要高效率和高可靠性的电力电子系统中表现出色。