时间：2025/6/23 22:53:30
阅读：7
FS18B225K100PBG 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下保持高效率和稳定性。
其封装形式为PBG（Power Ball Grid），能够有效提升散热性能并支持大电流应用。此外，FS18B225K100PBG 具有优异的抗雪崩能力和热稳定性，适合于要求严格的工业及汽车级应用环境。
最大漏源电压：18V
连续漏极电流：225A
导通电阻：1.0mΩ
栅极电荷：35nC
开关速度：纳秒级
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 采用先进的沟槽式MOSFET结构，提供极低的导通电阻，降低功耗。
2. 支持高达225A的连续漏极电流，适用于大电流负载场景。
3. 最大漏源电压为18V，能够在较高电压下稳定运行。
4. 内置ESD保护功能，提高系统的可靠性。
5. 快速开关特性，减少开关损耗，提升系统效率。
6. 工作温度范围宽广，适应恶劣的工作环境。
7. PBG封装设计优化了热管理和电气性能，便于高效散热。
1. 高效开关电源（SMPS）
2. 汽车电子中的电机驱动
3. DC-DC转换器
4. 工业自动化设备中的功率控制
5. 大功率LED驱动器
6. 充电器和适配器
7. 可再生能源系统中的逆变器
IRFP2907ALPBF
IXFK225N15T
FDPF225A
