时间：2025/9/23 12:04:50
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MB571PF-G-BND-ER是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺制造，专为高效率、高密度电源应用设计。该器件封装在紧凑的表面贴装HVSOF5封装中，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。MB571PF-G-BND-ER广泛应用于DC-DC转换器、电池供电设备、负载开关以及便携式电子设备中的电源管理模块。其设计目标是在低电压控制条件下实现高效的功率切换，支持现代节能标准，并提供良好的可靠性和长期稳定性。此外，该MOSFET符合RoHS环保要求，并具备无卤素（Halogen-free）特性，适合绿色电子产品制造。
型号：MB571PF-G-BND-ER
制造商：ROHM Semiconductor
产品类型：MOSFET
极性：N-Channel
漏源电压VDS：30 V
栅源电压VGS：±20 V
连续漏极电流ID：6.4 A
脉冲漏极电流IDM：25 A
导通电阻RDS(on)：最大8.5 mΩ @ VGS = 10 V
导通电阻RDS(on)：最大11 mΩ @ VGS = 4.5 V
阈值电压Vth：典型值1.2 V，范围0.8 V ~ 2.0 V
输入电容Ciss：约1020 pF @ VDS = 15 V
输出电容Coss：约290 pF @ VDS = 15 V
反向传输电容Crss：约50 pF @ VDS = 15 V
栅极电荷Qg：约8.5 nC @ VGS = 10 V
开启延迟时间td(on)：约7 ns
关断延迟时间td(off)：约22 ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：HVSOF5 (High Voltage Small Outline FET)
安装方式：表面贴装SMD
MB571PF-G-BND-ER采用罗姆专有的Trench MOS结构，优化了载流子迁移路径，从而显著降低了导通电阻RDS(on)，在高电流负载下仍能保持较低的功耗，提升了整体系统效率。其超低的RDS(on)值在4.5V和10V栅极驱动条件下均表现出色，特别适合用于同步整流或负载开关等需要频繁导通/关断的应用场合。器件的栅极电荷Qg较低，意味着驱动电路所需的能量更少，有助于减少驱动损耗并提高开关速度，尤其适用于高频开关电源设计。
该MOSFET具备优良的热稳定性和散热能力，得益于HVSOF5封装的小型化设计与增强的热导路径，即使在有限PCB面积下也能有效传导热量，避免局部过热导致的性能下降或失效。同时，其快速的开关响应时间（包括开启和关断延迟）使得在动态负载变化时能够迅速响应，维持输出电压稳定。
MB571PF-G-BND-ER还具备较强的抗雪崩能力和稳健的ESD防护设计，增强了在恶劣电气环境下的可靠性。器件经过严格的质量测试和老化筛选，确保在工业级温度范围内长期稳定运行。此外，其无铅、无卤素的环保特性符合现代电子产品对可持续发展的要求，适用于消费类电子、工业控制、通信设备及汽车电子等多种领域。
MB571PF-G-BND-ER主要用于各类中小功率电源管理系统中，尤其适合对尺寸和效率有较高要求的应用场景。典型应用包括便携式设备如智能手机、平板电脑中的电池保护电路和负载开关；在DC-DC降压变换器中作为同步整流管使用，可有效降低传导损耗，提升转换效率；也可用于USB电源开关、热插拔控制器、电机驱动电路以及各类嵌入式系统的电源分配单元。
在电池供电设备中，该MOSFET可用于实现高效的充放电控制和短路保护功能，利用其低阈值电压和快速响应特性，能够及时切断故障电流，保障系统安全。此外，在LED驱动电路中，MB571PF-G-BND-ER可用作恒流调节开关元件，配合PWM调光信号实现精确亮度控制。
由于其小型化封装和高功率密度特性，该器件也适用于空间受限的工业传感器、IoT终端设备、无线耳机充电仓等新兴应用领域。在汽车电子方面，可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的辅助电源管理，满足AEC-Q101以外的部分车规级可靠性需求（需结合具体应用评估）。总之，该MOSFET凭借其高性能和紧凑设计，成为现代高效能电源架构中的关键组件之一。
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