时间：2025/8/14 13:49:36
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MB515 T/R 是一款由日本公司Toshiba（东芝）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电子设备中的开关和功率控制应用。该器件采用了先进的沟槽式技术，提供了优异的导通性能和热稳定性，适用于高频率和高效率的开关电源、DC-DC转换器以及电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
导通电阻（Rds(on)）：约0.018Ω（典型值，Vgs=10V时）
MB515 T/R 具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高整体系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4V至10V的驱动电压，适用于多种控制电路设计。此外，MB515 T/R 采用了高耐压和高可靠性的沟槽式工艺技术，具备良好的热管理和耐久性，在高频率开关操作中表现出色。其TO-220AB封装形式有助于提高散热效率，确保在高功率应用中的稳定性。
该MOSFET还具备快速开关能力，适合用于需要高频工作的电源转换器，如DC-DC转换器、同步整流器和马达驱动器。其高耐压特性也使其适用于需要承受较高电压应力的应用场景，例如电池管理系统和不间断电源（UPS）设备。
MB515 T/R 主要应用于开关电源、DC-DC转换器、同步整流电路、电池管理系统、马达驱动器、工业自动化设备以及各类需要高效功率控制的电子系统。由于其高电流承载能力和低导通损耗，该器件在需要高效率和紧凑设计的电源应用中尤其受到欢迎。
IRFZ44N, FDP6676, STP55NF06
