类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：500mA
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压（VF）：520mV @ 250mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 40V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOT-23
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：3
　　互连材料：金丝球焊
　　湿气敏感度等级（MSL）：1级（<=30°C / 85%RH）
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于1ns

MB504P的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，避免了传统PN结中存在的少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr）。这一特性使得MB504P在高频开关环境中表现优异，能够显著降低因二极管反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰（EMI），提升电源转换效率。此外，较低的正向压降（典型值仅为520mV @ 250mA）意味着在相同电流下功耗更小，有助于延长电池供电设备的工作时间并减少散热需求。
　　该器件设计为双二极管共阴极结构，这种配置特别适用于全波整流电路或双通道输出的DC-DC转换器中，允许共享接地路径，简化PCB布局并节省空间。其SOT-23封装虽体积小巧，但经过优化设计，具备良好的热传导性能，能够在连续负载条件下稳定运行。制造工艺方面，MB504P采用可靠的金丝球焊技术，确保内部连接的长期稳定性，同时经过严格的环境测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和高压蒸煮试验，确保产品在各种恶劣工作条件下的可靠性。
　　MB504P还具备较强的环境适应性，符合AEC-Q101车规级认证的部分要求（具体需查阅最新数据手册确认），可用于汽车电子中的非关键性应用。其无铅、无卤素的设计满足现代绿色电子产品的环保标准，支持回流焊和波峰焊等多种焊接方式，兼容主流SMT生产工艺。此外，器件具有较低的寄生电容和电感，有利于保持信号完整性，在高速数字电路和射频检测电路中也有潜在应用价值。总体而言，MB504P是一款兼顾高性能、小尺寸与可靠性的通用型肖特基二极管阵列，适用于对效率和空间有严格要求的现代电子系统。

MB504P广泛应用于多种电子系统中，尤其适合需要高效能、小尺寸和快速响应的场合。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常用于电池充电管理电路中的防反接保护和电源路径切换，防止外部电源反向接入损坏内部电路。在DC-DC转换器中，特别是同步整流拓扑中，MB504P可用作续流二极管，利用其低正向压降特性减少能量损耗，提高转换效率。此外，在USB供电接口、锂电池保护板和LDO稳压器输出端，该器件也常被用来实现反向电流阻断功能。
　　在工业控制和通信设备中，MB504P可用于信号整流、钳位保护和瞬态电压抑制辅助电路中，保护敏感IC免受电压尖峰影响。其快速响应能力使其适用于高频脉冲整流，例如在编码器信号处理或数字逻辑电平转换电路中作为高速开关元件。在汽车电子领域，尽管不是主功率器件，但MB504P可用于车载信息娱乐系统、传感器模块和车身控制单元中的电源调理电路，提供可靠的电压隔离和保护功能。
　　此外，由于其共阴极双二极管结构，MB504P还可用于构建简单的倍压整流电路或多路电源冗余设计中，实现电源自动切换或备份供电。在LED驱动电路中，也可用于防止反向电压损伤LED串。总之，MB504P凭借其紧凑的封装、优良的电气性能和高可靠性，成为众多低电压、中等电流应用场景下的理想选择。

BAT54C、RB751S-40、SMS7621、DMK54C-M-T5