型号：DMN61D8LQ-13
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23 (SC-59)
　　制造商：Diodes Incorporated
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-900mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-2.7A
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：70mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：100mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压(VGS(th))：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容(Ciss)：90pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：10pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：115pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间(td(on))：4ns
　　关断延迟时间(td(off))：8ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散(PD)：300mW

DMN61D8LQ-13采用先进的沟槽型MOSFET工艺，实现了优异的导通性能和开关特性。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS = -4.5V时RDS(on)仅为55mΩ，显著降低了在负载路径中的功率损耗，提高了系统能效。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。即使在较低的栅极驱动电压如-2.5V或-1.8V下，该器件仍能保持较低的导通电阻，表明其对逻辑电平驱动具有良好的兼容性，可直接由3.3V或1.8V逻辑控制器驱动而无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并节省成本。
　　该器件具有快速的开关响应能力，开启延迟时间为4ns，关断延迟时间为8ns，使其适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器中的同步整流或负载瞬态响应控制。输入电容Ciss为90pF，输出电容Coss为115pF，较小的寄生电容减少了栅极驱动所需的能量，进一步降低驱动损耗。此外，Crss（反向传输电容）仅10pF，有助于提高器件的抗噪声能力和稳定性，减少米勒效应引起的误触发风险，提升整体系统的可靠性。
　　DMN61D8LQ-13的工作结温范围为-55°C至+150°C，具备出色的热稳定性和环境适应性，可在严苛温度条件下正常运行。其AEC-Q101认证确保了在汽车电子应用中的长期可靠性，适用于车载信息娱乐系统、传感器电源管理、LED照明驱动等场景。封装采用SOT-23小型化设计，不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过引脚传导有效将热量传递至PCB铜箔进行散热。综合来看，该器件在性能、尺寸、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是中小功率P沟道MOSFET应用的理想选择之一。

DMN61D8LQ-13广泛应用于各类低电压、低功耗的电子系统中，尤其适合需要高效电源管理和紧凑布局的设计。常见应用包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载切换，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，用于控制不同模块的供电通断以实现节能待机或功能切换。在电池管理系统中，该器件可用于电池反接保护、充放电路径控制以及多电源选择电路，凭借其低导通电阻和快速响应能力，能够有效减少能量损失并提升系统安全性。
　　在DC-DC转换器拓扑中，DMN61D8LQ-13常作为高端开关使用，特别是在降压（Buck）变换器中替代传统PNP三极管，提供更高的转换效率和更优的动态响应。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接连接PWM控制器输出，简化外围电路设计。此外，它也适用于OR-ing二极管应用，用于防止电流倒灌或多电源冗余切换，相比肖特基二极管具有更低的正向压降和更高的效率。
　　在工业和汽车电子领域，该器件可用于传感器模块、执行器驱动、LED背光控制和继电器驱动电路。其AEC-Q101认证使其适用于车载摄像头、车内照明、电动门窗控制等汽车子系统。同时，由于其小型封装和高可靠性，也被广泛用于通信模块、IoT终端设备和医疗电子设备中，作为信号通路开关或电源门控元件。总体而言，DMN61D8LQ-13凭借其高性能和广泛适用性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

DMG2301U-7
　　FMMT718
　　ZXM61P02F