型号：MB501LPF
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500 V
　　最大漏极电流（ID）：1.2 A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：4.8 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻 RDS(on)：max 9.0 Ω @ VGS = 10 V, ID = 600 mA
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：~ 500 pF @ VDS = 25 V, VGS = 0 V
　　输出电容（Coss）：~ 100 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 30 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP-8（表面贴装）
　　功耗（PD）：2.5 W（最大值，取决于PCB散热设计）

MB501LPF具备多项关键特性，使其在中高压功率MOSFET市场中具有显著竞争力。首先，其高达500V的漏源击穿电压使其能够安全地用于离线式开关电源、AC-DC转换器以及PFC（功率因数校正）电路中，有效防止因瞬态过压导致的器件损坏。其次，该器件采用了罗姆独有的超级结（Super Junction）结构或优化的沟槽栅技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。
　　另一个重要特性是其出色的开关性能。MB501LPF具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这使得在高频开关应用中能够实现更快的上升和下降时间，降低开关损耗。这对于提升DC-DC变换器或LED驱动电源的转换效率至关重要。同时，较低的反向恢复电荷（Qrr）有助于减少体二极管在关断时的能量损耗，进一步优化热管理设计。
　　在可靠性方面，MB501LPF具备强大的抗雪崩能力，能够在突发短路或负载突变情况下承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境温度下仍能稳定运行，适用于户外设备、工业自动化和车载辅助电源等场景。
　　此外，该器件的栅极阈值电压经过精确控制，避免了误触发问题，提升了系统启动和关断过程中的可控性。SOP-8封装不仅节省空间，还通过内部引线优化降低了寄生电感，有利于高频应用中的EMI控制。综合来看，MB501LPF在性能、可靠性和封装集成度之间实现了良好平衡，是一款适用于中高功率密度设计的理想选择。

MB501LPF广泛应用于多种中高电压功率转换系统中。其首要应用场景是隔离式与非隔离式开关电源（SMPS），特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中作为主开关管使用，适用于适配器、充电器和工业电源模块。在这些应用中，MB501LPF凭借其高耐压和低导通损耗特性，能够有效提升电源的整体效率并降低温升。
　　该器件也常用于LED恒流驱动电源，尤其是在高亮度LED照明系统中。由于LED驱动通常要求长时间连续工作且对效率和可靠性要求极高，MB501LPF的稳定电气性能和良好热特性使其成为理想选择。它可作为PWM调光控制中的主开关元件，实现精确的电流调节与高效能量传输。
　　在工业控制领域，MB501LPF可用于PLC（可编程逻辑控制器）的电源模块、继电器驱动电路以及小型电机驱动器中的功率开关。其抗噪声能力强，能在电磁干扰较严重的工厂环境中稳定运行。此外，在太阳能微逆变器、UPS不间断电源和电池管理系统（BMS）中，该器件也可用于直流侧的开关控制，提供高效的能量切换功能。
　　由于其符合AEC-Q101部分认证要求（视具体批次而定），MB501LPF还可用于汽车电子中的辅助电源系统，如车用DC-DC转换器、车载照明控制单元等，满足汽车行业对长寿命和高可靠性的需求。总之，凡涉及500V以下高压开关操作且对效率、体积和可靠性有较高要求的应用，MB501LPF均具备良好的适用性。

APX501AN, KSD501L, MB502LPF