时间：2025/8/6 0:16:37
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XFN21N100Q 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件主要用于高电压、高电流的应用场景，例如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池充电系统等。XFN21N100Q 采用了先进的平面技术，具备优异的导通电阻和开关特性，同时能够承受较高的工作电压，使其在功率电子设备中具有广泛的应用潜力。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：21A（常温下）
导通电阻(Rds(on))：约0.045Ω（典型值）
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2-PAK）
最大功率耗散：约160W
XFN21N100Q 具有优异的电气性能和热稳定性，适用于各种高功率密度设计。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件在高温环境下仍能保持稳定的性能，适用于需要高可靠性的工业级应用。
此外，XFN21N100Q 的 TO-263 封装形式使其易于安装在 PCB 上，并且具备良好的散热能力，能够在高电流负载下维持较低的温度上升。这种封装还提供了较高的机械强度和耐热性，适合用于恶劣环境下的应用。
其栅极驱动特性也非常友好，支持常见的 10V 栅极驱动电压，适用于多种控制电路。XFN21N100Q 的开关速度快，可以有效降低开关损耗，在高频开关应用中表现出色，如电源适配器、DC-DC 转换器和马达驱动器等。
XFN21N100Q 主要应用于各种高功率电子系统中，例如：
? 电源管理模块（如同步整流器）
? DC-DC 升压/降压转换器
? 电池充电器和管理系统（BMS）
? 电动工具和电动车辆的马达控制
? 工业自动化设备和不间断电源（UPS）
? 高功率 LED 驱动器和照明系统
该器件的高耐压能力和低导通电阻特性使其成为高效率、高可靠性电源设计的理想选择。
IXFN21N100Q, IRF2807, STP20NF10, FDP21N10, SiHF21N100
