型号：MB465
　　类型：FPM DRAM
　　容量：4Mb（512K × 8位）
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：70ns / 80ns / 100ns（根据具体子型号）
　　封装形式：32-pin SOJ 或 28-pin DIP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　刷新周期：8ms 或 4ms（标准模式）
　　数据总线宽度：8位
　　组织结构：512K × 8
　　最大静态电流：50mA
　　待机电流：< 5mA
　　地址输入：A0-A8
　　控制信号：RAS, CAS, WE, OE, CS
　　封装尺寸：标准SOJ（Small Outline J-leaded Package）

MB465的首要特性是其采用快速页模式（Fast Page Mode）访问机制，允许在同一个行地址内连续读取多个列地址的数据，从而显著提升数据传输效率。相比传统的随机访问方式，FPM模式通过减少行地址选通（RAS）的频繁切换，降低了整体访问延迟，特别适用于需要连续读取内存块的应用场景，如图像缓冲、数据采集系统等。
　　其次，该芯片具备良好的电气兼容性，支持TTL电平接口，能够无缝集成到基于5V逻辑的传统微处理器系统中，例如Intel 80386、80486以及Motorola 68000系列架构的主板。其输入输出引脚设计符合JEDEC标准，确保与其他外围器件的良好匹配。
　　第三，MB465具有出色的抗干扰能力和环境适应性。芯片内部集成了噪声抑制电路和稳定的刷新控制逻辑，能够在高噪声工业环境中保持数据完整性。同时，其CMOS制造工艺不仅保证了较低的功耗水平，还提升了器件的热稳定性，延长了使用寿命。
　　此外，该DRAM支持标准的动态刷新操作，包括集中式刷新和分布式刷新两种模式，用户可根据系统时钟频率灵活配置刷新间隔。片选（CS）和输出使能（OE）信号的引入，使得多芯片扩展更加方便，支持构建更大容量的存储阵列。
　　最后，MB465经过长期市场验证，拥有极高的可靠性和供货稳定性，尽管目前已属停产或接近生命周期末期的产品，但仍在全球范围内有大量的替代方案和二手货源支持，尤其适合用于设备维修、备件替换和技术教学实验。

MB465主要应用于各类需要中等容量动态存储器的工业与通信设备中。典型应用场景包括工业控制PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床（CNC）系统的内存模块、老式路由器与交换机的缓存单元、POS终端、医疗监测设备以及测试测量仪器等。由于这些设备往往设计周期较长，生命周期可达十年以上，因此在维护和备件替换过程中仍需使用此类成熟稳定的DRAM芯片。
　　在嵌入式系统领域，MB465常被用作8位或16位微控制器系统的外扩RAM，尤其是在处理大量传感器数据或图形信息时，提供必要的临时存储空间。例如，在无纸记录仪或智能仪表中，该芯片可用于暂存采集到的实时数据，待主控单元处理后写入非易失性存储器。
　　此外，该芯片也广泛用于教育和科研领域，作为计算机组成原理、数字电路和存储器架构教学实验的标准组件之一。学生可通过实际搭建基于MB465的存储电路，深入理解DRAM的工作原理、地址复用机制、刷新控制及总线时序等关键概念。
　　在军事和航空航天领域的某些老旧装备升级项目中，MB465也被用于维持原有系统的兼容性，避免因更换核心元器件而导致的重新认证问题。其宽温特性和高可靠性使其成为极端环境下运行系统的优选存储方案之一。