类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：共阴极三二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：90V
　　平均整流电流（Io）：300mA（每二极管）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1.5A（8.3ms单半正弦波）
　　正向电压降（VF）：典型值0.47V（在150mA, 25°C条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：100μA（在90V, 25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PMDE（SOD-123FL）
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：4
　　热阻（Rth(j-a)）：约400°C/W（依PCB布局而定）

MB3P-90H的核心特性之一是其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体结而非传统的PN结，从而实现了非常低的正向导通电压。在典型工作条件下，其正向压降仅为0.47V左右（在150mA时），显著低于普通硅二极管的0.7V水平。这一特性直接降低了导通损耗，提高了电源转换效率，特别适用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。由于导通压降低，器件在运行过程中产生的热量也更少，有助于提升系统整体的热稳定性。此外，低VF特性还能减少电压损失，确保负载端获得更接近输入源的电压水平，这对于低压供电系统尤为重要。
　　另一个关键特性是其快速开关能力。肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此其反向恢复时间极短，通常在纳秒级别。这意味着MB3P-90H在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关瞬态过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性使其非常适合用于高频整流、DC-DC转换器中的续流或箝位二极管，以及高速逻辑电路中的信号整形与保护。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流，但MB3P-90H在设计上进行了优化，在90V反向电压下漏电流控制在100μA以内，兼顾了性能与可靠性。
　　MB3P-90H采用PMDE封装，尺寸紧凑（典型尺寸约为1.6mm x 1.2mm x 0.65mm），非常适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。该封装具有良好的散热性能和机械强度，同时支持回流焊工艺，符合现代SMT制造流程。器件为无铅产品，符合RoHS和REACH环保标准，适用于全球市场的电子产品制造。其共阴极三二极管结构允许在单一封装内实现多个功能，例如在RGB LED驱动电路中用于防止电流倒灌，或在多路电源系统中实现并联隔离。此外，工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，包括工业和汽车电子应用。

MB3P-90H广泛应用于多种电子系统中，尤其适合空间受限且对效率有较高要求的设计。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常被用作电源管理电路中的防反接二极管或电池充电路径的隔离元件，其低正向压降有助于延长电池续航时间。在DC-DC开关电源中，该器件可用作同步整流的辅助二极管或输出端的续流二极管，利用其快速响应特性减少开关损耗，提高转换效率。此外，在LED照明驱动电路中，MB3P-90H可用于多通道LED之间的电压平衡和反向电流抑制，特别是在RGB或多色LED模块中发挥重要作用。
　　在通信设备中，该二极管阵列可用于信号线路的静电放电（ESD）保护和电压钳位，防止瞬态高压损坏敏感的IC器件。其快速响应能力能够及时泄放瞬态能量，保护后级电路。在工业控制和自动化系统中，MB3P-90H可用于传感器接口电路中的信号整流与隔离，或作为PLC输入模块的输入保护元件。汽车电子领域也是其重要应用方向，可用于车载信息娱乐系统、仪表盘背光驱动或车身控制模块中的电源整流与保护电路。由于其小型化封装和高可靠性，特别适合安装在空间紧凑的车载ECU中。
　　此外，该器件还可用于AC-DC适配器的次级侧整流、USB供电路径的电流导向、多电源系统的优先级选择电路（如主辅电源切换）以及各类嵌入式系统的I/O端口保护。其三二极管共阴极结构提供了灵活的电路配置方式，能够简化PCB布局，减少元件数量，从而降低整体成本和故障率。总之，MB3P-90H凭借其高效、小型、可靠的特性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

RB751V-90