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KTC4075V-GR-RTK/P 发布时间 时间:2025/9/12 9:07:04 查看 阅读:4

KTC4075V-GR-RTK/P 是一款由Kec Corporation(现已更名为KODENSHI Corporation)生产的双极型晶体管(BJT)阵列芯片。该器件内含两个独立的NPN晶体管,通常用于放大和开关应用。这款晶体管阵列特别适用于需要高频率响应和低噪声性能的电子电路中,例如音频放大器、前置放大器、数字逻辑电路和射频(RF)电路等。KTC4075V-GR-RTK/P 采用小型化表面贴装封装(SOP),适用于自动化组装流程,并具备良好的热稳定性和电气性能。

参数

晶体类型:双极型NPN晶体管阵列
  集电极-发射极电压(Vce):50V
  集电极-基极电压(Vcb):50V
  发射极-基极电压(Veb):5V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功耗(Pd):200mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOP
  增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110至800(根据工作电流和型号后缀不同而变化)

特性

KTC4075V-GR-RTK/P 的主要特性之一是其内部集成的两个独立NPN晶体管,能够有效减少PCB板的空间占用,提高电路设计的灵活性和集成度。每个晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,通常在110至800之间,这使得该器件能够适应不同的放大需求,从低增益开关应用到高增益信号放大场景均可适用。此外,该晶体管的增益带宽积(fT)高达100MHz,支持在较高频率下稳定工作,因此非常适合用于射频(RF)和高频信号处理应用。该器件的封装形式为小型化的SOP封装,适用于表面贴装工艺,提高了生产效率和可靠性。其最大集电极电流为100mA,最大功耗为200mW,能够在较高的温度范围内稳定工作,确保了在各种环境下的可靠运行。

应用

KTC4075V-GR-RTK/P 主要应用于需要高性能晶体管的场合,如音频前置放大器、射频信号放大器、逻辑电平转换器、开关电路、传感器接口电路等。在消费类电子产品中,该器件常用于便携式音频设备、无线通信模块、数码相机和智能穿戴设备等。在工业自动化控制领域,它可用于传感器信号调理和驱动电路。此外,由于其高频性能良好,KTC4075V-GR-RTK/P 也广泛应用于无线通信设备中的射频前端模块,如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee等短距离通信系统的信号放大和调制解调电路。

替代型号

2SC4075V, 2N3904, BC847, MMBT3904

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