MB38T/R 时间：2025/8/14 14:48:56 阅读：16

MB38T/R 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率功率转换应用，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。MB38T/R 采用紧凑的封装形式，适合用于空间受限的设计。这款 MOSFET 在电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等应用中表现优异。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：38mΩ（典型值）
　　最大功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

MB38T/R MOSFET 具备多个关键特性，使其适用于广泛的功率电子应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件能够承受较高的漏极电流和漏源电压，适用于中高功率应用场景。MB38T/R 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和机械稳定性，便于散热和安装。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动电压，便于与各种驱动电路兼容。此外，MB38T/R 具有良好的热稳定性和短路耐受能力，可在严苛的环境下稳定运行。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率，适用于高频开关应用。
　　MB38T/R 还具备较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于汽车电子、工业自动化、消费类电源设备等应用。该器件在制造过程中符合 RoHS 标准，具备环保和无铅特性，满足现代电子产品对环保法规的要求。

应用

MB38T/R 主要应用于各类功率电子设备中，例如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器、负载开关以及 LED 驱动器等。在工业自动化系统中，它可作为高效的功率开关，用于控制电机、电磁阀和继电器等负载。在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等应用。
　　由于其优异的导通性能和较高的可靠性，MB38T/R 也广泛应用于服务器电源、电信设备和便携式电子设备中的功率管理电路。在消费类电子产品中，如智能电视、音响系统和智能家居控制器中，该器件可用于电源转换和负载控制。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，该 MOSFET 也可作为关键的功率开关元件，实现高效的能量转换。