类型：双NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V（典型值）
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　集电极电流（IC）：100mA（每通道）
　　直流电流增益（hFE）：200 ~ 400（典型值，测试条件IC = 1mA）
　　增益匹配度：≤ ±5%（两通道间）
　　过渡频率（fT）：250MHz（典型值）
　　最大功耗（PD）：300mW（整体封装）
　　工作结温（Tj）：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOIC-8 或等效小型表面贴装封装

MB358的核心优势在于其内部两个NPN晶体管的高度匹配性与一致性，这使得它在构建差分对电路时无需额外进行晶体管筛选即可实现优异的共模抑制比（CMRR）。每个晶体管的电流增益（hFE）在标准工作条件下保持高度接近，偏差控制在±5%以内，这种精确匹配显著提升了模拟前端的线性度与稳定性。此外，该器件具有较高的过渡频率（fT达250MHz），表明其具备良好的高频响应能力，能够在射频前置放大或高速开关应用中有效工作。其低噪声特性进一步增强了在微弱信号放大场合的表现，例如在音频前置放大器或传感器信号调理电路中可减少背景噪声干扰。MB358采用单芯片集成设计，不仅减小了PCB占用面积，还通过缩短内部互连路径降低了寄生电感与电容的影响，从而提高了高频工作的稳定性。该器件的热耦合效应也优于分离式晶体管方案——由于两个晶体管位于同一硅片上，它们的温度变化几乎同步，避免了因温漂不一致导致的失调电压漂移问题，这对于需要长期稳定运行的精密测量设备尤为重要。
　　在可靠性方面，MB358遵循严格的制造工艺标准，具备出色的抗静电能力（ESD耐受性）和长期老化稳定性，适用于工业自动化、汽车电子和通信基础设施等高要求领域。尽管该器件已不再由原厂大规模生产，但通过Rochester Electronics等专业元器件生命周期管理公司仍可获得正品保障的库存产品，确保原有设计的持续供货。其封装符合RoHS环保规范，支持无铅回流焊接工艺，兼容现代SMT生产线流程。此外，MB358的引脚排列经过优化设计，便于在PCB布局中实现对称布线，最大限度地减少外部干扰对匹配性能的影响。这些综合特性使MB358成为替代传统分立晶体管对的理想选择，尤其适用于那些追求高性能、小体积和高可靠性的模拟电路设计场景。

MB358广泛应用于各类需要高精度匹配晶体管的模拟电路中。其典型用途包括构建差分放大器结构，这是许多运算放大器和仪表放大器的输入级核心组成部分，利用其良好的增益匹配和温漂一致性来提高共模抑制能力和信号保真度。在有源滤波器设计中，MB358可用于实现高Q值滤波单元，特别是在状态变量滤波器或多反馈拓扑中，匹配晶体管有助于维持频率响应的对称性和稳定性。此外，在射频接收前端电路中，该器件可用作低噪声放大器（LNA）的增益级，凭借其250MHz的过渡频率和较低的噪声系数，能够有效放大微弱信号而不引入过多失真。在传感器信号调理模块中，如压力、温度或光电传感器输出的毫伏级信号放大，MB358的低温漂和高线性度特性可以显著提升系统精度。工业控制系统中的模拟I/O模块也常采用此类匹配晶体管阵列来实现电流镜、有源负载或推挽驱动功能。在音频处理设备中，MB358可用于前置放大级或耳机驱动电路，提供清晰的声音再现效果。另外，由于其封装小巧且支持表面贴装工艺，该器件适用于便携式仪器、医疗监测设备和嵌入式控制系统等空间受限的应用环境。在一些老式设备维护和升级项目中，MB358也被用作替换多个离散晶体管的集成解决方案，以简化装配流程并提升整体可靠性。总之，凡是在电路中需要两个电气特性高度一致的NPN晶体管协同工作的场合，MB358都是一个值得考虑的技术选项。

MPSA92
　　BCM847DW1T1G
　　NTE159