型号：MB15E17SLPFT-G-BND-FG-ER
　　制造商：Renesas Electronics
　　封装类型：QFN
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　频率范围：2.4 GHz 至 3.8 GHz
　　供电电压：3.0 V 至 3.6 V
　　电流消耗：典型值约30 mA（正常工作模式）
　　相位噪声：@1 MHz偏移，典型值-110 dBc/Hz
　　参考输入频率：最高支持200 MHz
　　输出功率：典型值0 dBm
　　分频方式：支持整数N与分数N模式
　　Σ-Δ调制器分辨率：32位
　　串行接口类型：SPI兼容（三线或四线）
　　输出缓冲：集成片上输出驱动器
　　锁定检测：支持数字锁定指示输出
　　芯片尺寸：紧凑型表贴封装，具体尺寸依据QFN规格
　　引脚数量：16引脚
　　RoHS合规性：符合无铅和环保标准

MB15E17SLPFT-G-BND-FG-ER采用先进的硅锗（SiGe）工艺制造，具备出色的高频性能和低相位噪声表现，特别适合对信号纯度要求较高的无线通信场景。其内置的Σ-Δ分数-N架构允许实现亚赫兹级别的频率分辨率，从而满足现代通信系统中对信道间隔精确控制的需求，例如在5G NR TDD频段或Wi-Fi 6E应用中实现精准的频率合成。芯片内部集成了高精度的鉴频鉴相器（PFD）和低泄漏电荷泵，显著降低了带内相位噪声，并提高了环路稳定性。同时，可编程的输出分频器和多级前置分频器结构使得该器件能够灵活适配不同的VCO设计，无需外接复杂的预分频逻辑电路。
　　该器件支持多种工作模式，包括正常发射、接收切换和低功耗待机模式，可通过串行接口动态切换，极大提升了系统能效。其SPI控制接口具有高抗干扰能力，支持高达10 Mbps的数据传输速率，允许快速重配置频率参数，适用于跳频扩频或多频段切换的应用场景。芯片内部还集成了完整的状态监控功能，如数字锁定检测（Lock Detect）输出，便于主控MCU实时判断PLL是否已稳定锁定目标频率，增强了系统的可诊断性和可靠性。此外，MB15E17SLPFT-G-BND-FG-ER具备良好的电源抑制比（PSRR），能够在电源波动较大的环境中保持稳定的输出性能。
　　为了优化射频性能，该芯片在封装设计上充分考虑了接地和散热需求，所有接地引脚均对称分布，有助于减少寄生电感并提升高频下的信号完整性。其输出端集成了片上匹配网络和缓冲放大器，可直接驱动后续混频器或功率放大器，减少了外部元件数量，简化了射频前端设计。该器件还支持外部基准输入和差分时钟输入选项，增强了与不同晶振或时钟源的兼容性。整体而言，MB15E17SLPFT-G-BND-FG-ER凭借其高集成度、低噪声、灵活配置和工业级可靠性，成为高端无线基础设施和测试测量设备中的理想频率合成解决方案。

MB15E17SLPFT-G-BND-FG-ER主要用于需要高稳定性和低相位噪声频率源的射频系统中。典型应用场景包括5G小型基站（Small Cell）的本地振荡器设计，用于上变频和下变频过程中的频率转换；Wi-Fi 6/6E接入点和企业级路由器中的射频前端模块，提供稳定的本振信号；微波点对点通信系统和毫米波回传链路中的高速数据传输单元；以及自动化测试设备（ATE）、频谱分析仪和信号发生器等精密仪器仪表中的可调谐时钟源。此外，该芯片也适用于工业物联网（IIoT）网关、雷达传感器和卫星通信终端等对频率精度和系统稳定性有严苛要求的领域。由于其支持SPI数字控制和快速频率切换，因此在跳频通信、多频段自适应系统和软件定义无线电（SDR）平台中也有广泛应用潜力。其紧凑的QFN封装形式使其非常适合空间受限的高密度PCB设计，尤其适合采用射频模组或系统级封装（SiP）的产品。在开发过程中，配合Renesas提供的评估板和配置软件，可以快速完成参数调试和系统集成，缩短产品上市周期。

MB15E16LN