类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs=10V；45mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-223
　　引脚数：4

MB115 T/R 具有多个关键特性，使其在功率电子设计中具有广泛应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低在导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。其次，该器件采用了先进的沟槽式结构，使其在高电流负载下仍能保持良好的热稳定性。
　　此外，MB115 T/R 支持较高的栅源电压（±20V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性，并具备较强的抗电压波动能力。其工作温度范围宽泛（-55°C 至 +150°C），适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。
　　该 MOSFET 还具备较快的开关速度，适用于高频 DC-DC 转换器和同步整流电路。SOT-223 封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，便于在紧凑型 PCB 设计中布局。T/R（卷带）包装形式适用于 SMT（表面贴装技术）自动化贴片生产，提高了制造效率。

MB115 T/R 主要用于各类电源管理系统和功率转换电路中。例如，它常用于同步整流的 DC-DC 转换器、负载开关控制、电池充电与管理系统（如便携式设备、电动工具）、LED 照明驱动电路以及电机控制电路中。此外，由于其良好的热稳定性和高效率特性，也广泛应用于工业自动化设备、通信电源模块和汽车电子系统中，如车载充电器、逆变器等。
　　由于其具备较高的连续漏极电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效率、高频率工作的开关电源设计。在电池供电系统中，该 MOSFET 可用于电源路径管理，以减少能量损耗并延长电池寿命。

Si2302DS, AO3400, FDS6680, IRF7413