时间：2025/9/14 20:21:28
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BUK7M12-40EX 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高可靠性的功率开关应用而设计，适用于中低电压、高电流的工作环境。BUK7M12-40EX采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻、高雪崩能量耐受能力和优异的热稳定性。该MOSFET广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、汽车电子和工业自动化等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：最大5.2mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：约100nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
功率耗散(Pd)：310W
BUK7M12-40EX具有多项高性能特性，使其在功率电子系统中表现出色。首先，该器件的导通电阻（Rds(on)）非常低，典型值为5.2mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。低Rds(on)特性在高电流应用中尤为重要，可显著减少发热，提高整体系统的稳定性和可靠性。
其次，BUK7M12-40EX采用了先进的TrenchMOS技术，这种技术能够在保持小型化的同时实现高性能。TrenchMOS结构有助于提高单位面积的电流密度，从而增强器件的开关能力和负载能力。
此外，该MOSFET具有出色的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，避免因电压尖峰导致的器件损坏。这一特性使其非常适合在具有高感性负载的环境中使用，如电机驱动和电磁阀控制。
该器件的栅极电荷（Qg）约为100nC，具有较快的开关速度，适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围较宽，通常在10V左右即可完全导通，适用于多种驱动电路设计。
BUK7M12-40EX的工作温度范围为-55°C至+175°C，具有良好的热稳定性，适用于严苛的工作环境，如汽车电子和工业控制系统。其TO-220AB封装形式具有良好的散热性能，并且易于安装和维护。
BUK7M12-40EX主要应用于需要高效功率管理的系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源分配系统、工业自动化设备以及汽车电子系统（如车载充电器、电动助力转向系统等）。
在电源管理领域，该MOSFET可用于高效率的开关电源和负载管理电路，提供稳定的电流控制和低损耗的导通路径。在DC-DC转换器中，其低Rds(on)和快速开关特性有助于提高转换效率，降低功耗。
在汽车电子应用中，BUK7M12-40EX的高可靠性和宽工作温度范围使其适用于车载电源系统、电机控制模块和高电流负载开关。其优异的雪崩能量能力可有效应对车辆电气系统中的瞬态电压波动，保障系统稳定运行。
此外，该器件也广泛用于工业自动化设备中的高电流控制电路，如PLC（可编程逻辑控制器）中的输出驱动模块、伺服电机控制电路等。
BUK7K12-40E，IRF1404，Si4410BDY，NTMFS4C10N，FDMS86181
