MB114F303ACR-G 时间：2025/9/22 10:45:22 阅读：11

MB114F303ACR-G是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和双扩散工艺制造，专为高效率开关应用设计。该器件封装在紧凑的DFN2530-6A（塑料封装）中，具备低导通电阻、优异的散热性能以及高可靠性，适用于现代电源管理系统中对空间和能效要求较高的场合。MB114F303ACR-G广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路以及便携式电子设备中的电源控制模块。其高密度集成设计和出色的电气特性使其成为替代传统较大封装MOSFET的理想选择。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101汽车级认证，适合在严苛环境条件下稳定运行。
　　这款MOSFET的设计重点在于降低传导损耗与开关损耗之间的平衡，从而提高整体系统效率。它具有快速的开关响应能力，能够支持高频操作，同时保持较低的栅极电荷和输出电容，有助于减少驱动功耗和电磁干扰（EMI）。MB114F303ACR-G还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，确保长时间工作的可靠性。

参数

型号：MB114F303ACR-G
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：14A @ 70°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：56A
　　导通电阻(RDS(on))：4.3mΩ @ VGS=10V, 7.0mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：1390pF @ VDS=15V
　　输出电荷(Qgd)：11nC @ VDS=15V
　　工作温度范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN2530-6A

特性

MB114F303ACR-G采用了罗姆专有的Trench MOSFET技术，这种结构通过优化单元设计显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现了超低RDS(on)特性。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为4.3mΩ，这使得器件在大电流应用中能够有效减少功率损耗，提升系统能效。该低阻抗特性特别适用于电池供电设备中的电源路径控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，能够在不牺牲性能的前提下延长续航时间。
　　该器件的封装采用DFN2530-6A小型化无铅封装，尺寸仅为2.5mm x 3.0mm x 0.9mm，极大节省了PCB布局空间，适应高密度组装需求。封装底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速导出，增强热管理能力。即使在高负载条件下，也能保持较低的结温上升，避免因过热导致的性能下降或损坏。此外，该封装具有良好的机械强度和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。
　　MB114F303ACR-G具备优异的开关特性，包括低栅极电荷（Qg=28nC typ）和低反向传输电容（Crss），这些参数有助于减小驱动电路的负担并降低开关过程中的能量损耗。这对于高频开关电源（如同步降压变换器）尤为重要，可以实现更高的转换效率和更小的外围元件尺寸。同时，较低的输出电容也有助于抑制电压尖峰和振铃现象，提高系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　该MOSFET还具备较强的雪崩耐受能力和稳健的体二极管反向恢复特性，可在瞬态过压或感性负载切换过程中提供一定的保护作用。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于工业级和汽车级应用场景。结合AEC-Q101认证，该器件可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身电子控制系统等对可靠性要求极高的领域。

应用

MB114F303ACR-G主要应用于需要高效、小型化功率开关解决方案的各类电子产品中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提升转换效率。此外，它也常用于负载开关电路，用于控制电源域的通断，例如在移动设备中实现不同功能模块的供电管理，以降低待机功耗。
　　在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电路径的主控开关，因其低导通损耗可减少发热，提高系统安全性。它同样适用于热插拔控制器、OR-ing二极管替代电路以及电机驱动中的低端开关配置。由于其具备良好的热稳定性和高电流承载能力，也可用于LED驱动电源和小型逆变器等功率变换装置。
　　得益于其汽车级认证，MB114F303ACR-G还可广泛部署于车载电子系统中，如车载导航、摄像头模组、电动座椅控制单元和车灯调光电路。其紧凑的DFN封装便于安装在空间受限的车载PCB上，同时满足汽车行业对振动、湿度和温度循环的严苛测试要求。