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VEC2610-TL-E 发布时间 时间:2025/9/21 8:49:04 查看 阅读:16

VEC2610-TL-E是一款由Diodes Incorporated生产的单通道高速低功耗电压电平转换器,专为需要在不同电压域之间进行信号转换的应用而设计。该器件支持双向电平转换功能,适用于低延迟、高数据速率的接口通信场景。VEC2610-TL-E采用小型化XSON-8(1.2mm x 1.2mm)封装,适合空间受限的便携式电子产品。其内部集成的Auto-direction Sensing?技术无需方向控制引脚,简化了系统设计并减少了PCB布线复杂度。该芯片工作电压范围宽,支持1.05V至3.6V的A侧电压和1.65V至5.5V的B侧电压,使其能够灵活地连接低压微控制器与较高电压的外围设备,如传感器、存储器、显示屏或I2C总线设备等。此外,VEC2610-TL-E具有低静态电流特性,典型值仅为1μA,非常适合电池供电的低功耗应用。该器件符合RoHS环保标准,并具备高可靠性,能够在工业级温度范围内稳定运行。

参数

型号:VEC2610-TL-E
  制造商:Diodes Incorporated
  封装类型:XSON-8 (1.2mm x 1.2mm)
  通道数:1通道
  工作电压范围(VA):1.05V 至 3.6V
  工作电压范围(VB):1.65V 至 5.5V
  最大数据速率:1000 Mbps(支持高速信号传输)
  方向检测方式:自动双向感应(Auto-direction Sensing)
  静态电流(IQ):典型值1μA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚数量:8
  产品系列:VEC2610
  安装类型:表面贴装(SMD)
  传播延迟:典型值小于1ns
  输入耐受电压:最高达5.5V(VB端)
  输出驱动能力:支持推挽和开漏配置

特性

VEC2610-TL-E的核心特性之一是其自动双向电平转换能力,通过内置的Auto-direction Sensing?技术实现无需外部方向控制信号即可自动识别数据流向,极大简化了系统设计复杂度。这一机制基于内部快速响应的检测电路,能实时监测两侧信号状态变化,确保在I2C、SPI、UART等多种串行通信协议中实现无缝电平转换。由于没有方向引脚,用户无需额外GPIO资源来控制方向切换,从而节省MCU引脚并减少软件开销。
  该器件支持高达1000 Mbps的数据传输速率,适用于高速数字接口应用,例如高速传感器接口、显示模块连接以及高速串行通信链路。其极低的传播延迟(典型值小于1ns)保证了信号完整性,避免因延迟失配导致的时序问题。同时,VEC2610-TL-E具备宽泛的电压兼容性,A侧可低至1.05V,支持现代超低电压逻辑器件(如1.2V FPGA或ASIC),而B侧最高可达5.5V,可直接连接传统3.3V或5V系统,实现跨电压域互连。
  在功耗方面,VEC2610-TL-E表现出色,静态电流仅1μA,非常适合用于移动设备、可穿戴电子产品和物联网终端等对能效要求严苛的场合。其低功耗特性不仅延长了电池寿命,也减少了热耗散,有助于提升系统整体稳定性。此外,该芯片采用小型XSON-8封装,尺寸仅为1.2mm x 1.2mm,显著节省PCB空间,满足高密度布局需求。
  VEC2610-TL-E还具备良好的电气鲁棒性,输入端可承受高达5.5V的电压而不损坏,增强了系统的抗干扰能力和长期可靠性。器件符合工业级温度规范(-40°C 至 +85°C),可在恶劣环境下稳定运行,适用于工业控制、汽车电子和户外设备等应用场景。整体而言,VEC2610-TL-E是一款高性能、小尺寸、低功耗且易于集成的电平转换解决方案,适用于广泛的跨电压通信接口设计。

应用

VEC2610-TL-E广泛应用于需要在不同逻辑电平之间进行高速、低延迟信号转换的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的微控制器与传感器之间的接口电平匹配,例如智能手机、平板电脑和智能手表中连接低电压主控芯片(如1.8V或1.2V)与3.3V或5V外设(如加速度计、陀螺仪、环境光传感器等)。此外,在I2C总线扩展系统中,当主设备与从设备工作于不同电压域时,VEC2610-TL-E可用于实现总线电平隔离与转换,确保通信可靠性和信号完整性。
  在嵌入式系统和物联网节点中,该器件常被用于连接低功耗MCU与无线模块(如Wi-Fi、蓝牙或Zigbee芯片),这些模块通常运行在3.3V,而MCU可能运行在1.8V或更低电压。VEC2610-TL-E能够在此类异构系统中提供透明、无阻塞的双向通信路径。在工业自动化领域,它可用于PLC、HMI面板或远程IO模块中实现不同电压层级的数字信号调理与传输。
  此外,VEC2610-TL-E适用于高速数据采集系统、测试测量仪器以及FPGA与ADC/DAC之间的电平适配场景。其小型封装特性也使其成为高密度PCB设计的理想选择,尤其适合可穿戴设备、医疗监测设备和微型传感器节点等对空间极为敏感的应用。由于支持宽电压范围和自动方向检测,该芯片也可作为通用型电平转换器替代分立MOSFET方案,提升系统集成度与可靠性。

替代型号

AP2610KTR-G1\nNVT2610DC\nTXS0108E\nMAX3370E

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VEC2610-TL-E参数

  • 典型关断延迟时间50(N 通道)ns,77(P 通道)ns
  • 典型接通延迟时间13(P 通道)ns,15(N 通道)ns
  • 典型栅极电荷@Vgs7.6 nC @ 10 V(N 沟道),8.2 nC @ -4.5 V(P 沟道)
  • 典型输入电容值@Vds570 pF V @ 10 V(N 通道),680 pF V @ -10 V(P 通道)
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度2.3mm
  • 封装类型VEC 8
  • 尺寸2.9 x 2.3 x 0.75mm
  • 引脚数目8
  • 最大功率耗散1 W
  • 最大栅源电压±10 V
  • 最大漏源电压20(N 通道)V,-20(P 通道)V
  • 最大漏源电阻值205(P 通道)mΩ,80(N 通道)mΩ
  • 最大连续漏极电流-3(P 通道)A,4.5(N 通道)A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目2
  • 类别通用
  • 通道模式增强
  • 通道类型N,P
  • 配置双、双漏极
  • 长度2.9mm
  • 高度0.75mm