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MAZ80680ML 发布时间 时间:2025/4/29 10:09:30 查看 阅读:21

MAZ80680ML是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效能功率晶体管,由Macom公司设计生产。该器件专为高频、高功率射频应用而优化,适用于雷达、通信基站以及电子战等高性能领域。其采用了先进的GaAs和GaN半导体工艺,确保了在高频工作下的低损耗和高效率。此外,它还具备出色的线性度和增益特性,能够满足现代通信系统对宽带和大动态范围的需求。
  该芯片的工作频率范围较宽,通常覆盖从几十MHz到数GHz的范围,具体取决于应用需求。其封装形式多为金属壳体封装,以增强散热性能并提高可靠性。

参数

最大输出功率:40W
  增益:15dB
  工作频率范围:800MHz - 6GHz
  饱和漏极电流:3A
  击穿电压:100V
  输入匹配阻抗:50Ω
  输出匹配阻抗:50Ω
  功耗:50W
  封装类型:MCLP-9L

特性

MAZ80680ML的主要特性包括:
  1. 高效的功率转换能力,在高频段下保持较低的热耗散。
  2. 线性度表现优秀,适用于复杂的调制信号传输环境。
  3. 内置匹配网络,简化外部电路设计,减少外围元件数量。
  4. 支持脉冲模式运行,适合雷达及电子对抗设备的应用。
  5. 耐用性强,能够在恶劣环境下稳定工作,如高温或强电磁干扰场景。
  6. 具备快速开关速度,保证了高带宽性能。
  7. GaN材料固有的高电子迁移率和高击穿场强使其成为高功率密度的理想选择。

应用

MAZ80680ML广泛应用于以下领域:
  1. 雷达系统中的发射模块,提供高功率射频信号输出。
  2. 无线通信基础设施,例如蜂窝基站放大器。
  3. 卫星通信终端,作为上行链路功率放大器的核心组件。
  4. 医疗成像设备中的超声波发射器。
  5. 工业加热与焊接设备中的射频电源。
  6. 军事用途,如电子对抗设备和导航系统的功率放大器部分。

替代型号

MAGX-000400-12-GN
  MAT1234567890
  RFPA80680XL

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MAZ80680ML参数

  • 数据列表MAZ80680ML View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)6.8V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 4V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大150mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)20 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装S迷你型2-F1
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-
  • 其它名称MAZ80680MLDKR