CKC21X333GDGAC7800 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 存储器系列。该芯片主要应用于需要大容量数据存储的场景,如固态硬盘 (SSD)、USB 闪存盘、嵌入式存储设备等。它采用先进的制造工艺,具备高可靠性、低功耗和快速读写速度的特点。
该型号的命名方式包含了产品的关键特性信息,例如存储容量、接口类型和封装形式等。具体参数和性能表现取决于实际的应用环境和使用条件。
类型:NAND Flash
存储容量:333GB
接口:Toggle DDR 2.0
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
引脚数:169
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
数据保存时间:超过10年
CKC21X333GDGAC7800 提供了卓越的数据存储性能。其主要特性包括:
1. 高密度存储:通过先进的三维堆叠技术实现了更高的存储密度,能够在较小的空间内提供大容量存储。
2. 快速读写速度:支持 Toggle DDR 2.0 接口,具有高达 400MT/s 的传输速率。
3. 低功耗设计:优化的电路结构显著降低了芯片在运行时的功耗,特别适合对能效要求较高的应用。
4. 高可靠性:内置纠错码 (ECC) 功能和磨损均衡算法,有效延长了存储寿命并提升了数据的可靠性。
5. 广泛的工作温度范围:能够适应各种极端环境条件,确保在工业和消费类应用中的稳定性。
CKC21X333GDGAC7800 主要应用于以下领域:
1. 固态硬盘 (SSD):
作为核心存储单元,为 SSD 提供高性能和大容量的存储能力。
2. 嵌入式系统:
用于汽车电子、工业控制和物联网设备等需要可靠存储的场合。
3. 消费类电子产品:
如 USB 闪存盘、移动存储设备等,满足消费者对快速数据传输的需求。
4. 数据中心:
提供高密度存储解决方案,适用于云计算和大数据分析等高性能计算场景。
CKC21X333GDGAC7600
CKC21X333GDGAC8000
CKC21X333GDGAC7200