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MAT10080 发布时间 时间:2025/4/30 18:02:36 查看 阅读:21

MAT10080是一种高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
  其封装形式通常为TO-220或TO-252,具体取决于制造商的设计需求。此外,MAT10080支持较宽的工作电压范围,适用于各种工业级和消费级电子产品。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:20mΩ
  栅极电荷:30nC
  总功耗:100W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

MAT10080拥有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高整体效率。
  2. 高速开关性能,使其非常适合高频,能够在极端温度条件下可靠运行。
  4. 内置反向二极管设计,进一步增强了器件的耐用性和可靠性。
  5. 符合RoHS标准,确保环保与安全使用。

应用

MAT10080广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电动工具及家用电器中的电机控制电路。
  3. 各种类型的DC-DC转换器。
  4. 负载开关和保护电路设计。
  5. 工业自动化设备中的信号放大与隔离处理。
  6. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器模块。

替代型号

IRFZ44N, STP10NK60Z, FDP150AN80AE

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MAT10080参数

  • 现有数量400现货4,700Factory
  • 价格100 : ¥117.91300托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 衰减值8dB
  • 频率范围0 Hz ~ 20 GHz
  • 功率 (W)2W
  • 阻抗-
  • 封装/外壳模具