存储容量：2 Mbit (256 KB)
　　组织结构：32,768 x 8
　　接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface)
　　最大时钟频率：40 MHz
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：8-pin SOIC
　　写入耐久性：10^14 次读/写周期
　　数据保持时间：10 年 @ +85°C
　　待机电流：10 μA (典型值)
　　工作电流：5 mA (典型值，40MHz)
　　写入模式：字节写入、页面写入（最多256字节）
　　写入周期时间：无延迟（即时写入）

FM25H20-DG的核心优势在于其采用的铁电存储技术（Ferroelectric Random Access Memory, F-RAM），这使得它在性能上远超传统的EEPROM和NOR Flash存储器。首先，F-RAM的写入速度极快，不存在传统非易失性存储器所需的“写入等待”过程。例如，在EEPROM中，每次写入操作可能需要数毫秒的时间来完成编程和校验，而FM25H20-DG则可以在一个总线周期内立即完成数据写入，极大地提升了系统的响应速度和吞吐能力。这一特性对于需要高频次写入的应用场景尤为重要，比如工业PLC中的实时状态记录、传感器数据采集系统或POS机交易日志存储等。
　　其次，FM25H20-DG具有惊人的写入耐久性，支持高达10^14次的读写操作，比标准EEPROM高出约1亿倍。这意味着在实际应用中几乎不会因为写入次数限制而导致器件失效，显著延长了产品的使用寿命并降低了维护成本。相比之下，普通EEPROM通常仅支持10万到100万次写入，容易成为系统寿命的瓶颈。
　　第三，该芯片具备出色的低功耗表现。在待机模式下，其电流消耗仅为10μA左右，而在主动读写状态下也仅需几毫安，非常适合电池供电或能量敏感型设备，如无线传感器节点、便携式医疗仪器等。此外，由于无需高压编程和擦除操作，F-RAM在整个工作过程中产生的电磁干扰（EMI）极小，有助于提升系统的电磁兼容性（EMC）。
　　FM25H20-DG还支持标准SPI接口协议，兼容Mode (0,0) 和 Mode (1,1)，可轻松与各类微控制器（MCU）、DSP或FPGA连接，无需额外的驱动电路或复杂的初始化流程。其命令集简洁明了，包括读、写、写使能、写禁止等基本指令，便于开发者快速集成到现有系统中。另外，芯片内部集成了上电复位电路和自动写保护功能，防止意外写入造成数据损坏，进一步增强了系统的稳定性与安全性。

FM25H20-DG因其高性能、高可靠性和低功耗特性，被广泛应用于多个对数据完整性要求严苛的领域。在工业自动化系统中，常用于PLC控制器、远程I/O模块和工业HMI设备中，用于实时保存运行参数、故障日志和配置信息。由于其支持高速写入和无限次擦写，能够在产线高速运行过程中持续记录关键数据而不会出现延迟或丢失。
　　在智能电表、水表、燃气表等计量设备中，FM25H20-DG用于存储用户用量数据、抄表记录和事件日志。这类应用通常需要每天多次写入数据，并且必须确保断电后数据不丢失，F-RAM的非易失性和无延迟写入特性完美契合此类需求。
　　医疗电子设备如血糖仪、心电图机、输液泵等也大量采用该芯片，用于存储患者数据、操作记录和设备校准信息。这些设备往往对数据安全性和可靠性有极高要求，FM25H20-DG的长期数据保持能力和抗干扰性能提供了有力保障。
　　在汽车电子领域，FM25H20-DG可用于车身控制模块、胎压监测系统（TPMS）和车载诊断系统（OBD）中，记录车辆状态信息和故障码。其宽温工作能力和高耐用性使其能够在复杂多变的车载环境中稳定运行。
　　此外，在物联网终端、RFID读写器、POS终端和安防监控设备中，FM25H20-DG同样表现出色，支持快速数据缓存和持久化存储，有效提升了系统的整体响应速度和数据可靠性。随着边缘计算和实时数据处理需求的增长，FM25H20-DG正在成为越来越多嵌入式系统设计中的首选非易失性存储解决方案。

CY15B108QN,CY15B104QN,FM25W256-G