容量：128 Mbit（16MB）
　　组织结构：x8/x16
　　电源电压：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：10ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：异步
　　擦除/写入周期：100,000 次
　　数据保持时间：20 年

AG28F0M-10E3R 是一款高性能 NOR Flash 存储器芯片，具有以下关键特性：
　　1. **大容量存储**：该芯片提供 128 Mbit 的存储容量，适用于需要大容量非易失性存储的应用场景，如固件存储、程序代码存储和配置数据保存。
　　2. **高速访问**：支持 10ns 的访问时间，确保系统在高速运行时仍能快速读取存储数据，适用于需要低延迟读取的应用，如嵌入式系统的启动代码执行。
　　3. **灵活的组织结构**：支持 x8 和 x16 两种数据总线模式，允许用户根据具体应用需求选择最适合的接口方式，提高了系统的兼容性和灵活性。
　　4. **宽电压范围**：工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，允许在不同电压环境下稳定运行，适用于多种电源设计和工业控制系统。
　　5. **高耐久性和数据保持能力**：支持 100,000 次擦写周期，并具有 20 年的数据保持能力，确保数据在长时间使用后依然可靠。
　　6. **工业级温度范围**：工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适合在恶劣工业环境中使用，如自动化控制设备、工业计算机和通信设备。
　　7. **TSOP 封装**：采用 TSOP（Thin Small Outline Package）封装，具有较小的体积和良好的电气性能，便于在紧凑型 PCB 设计中使用。

AG28F0M-10E3R 主要用于需要高可靠性和大容量非易失性存储的场合。典型应用包括嵌入式系统的启动代码存储、工业控制设备的固件更新、通信设备的配置存储、汽车电子系统的程序存储以及医疗设备中的数据记录。其高速访问和工业级温度特性也使其适用于航空航天、军事和安防等高要求领域。

S29GL128P10TFR200, AM29LV128M