型号：MAS3587F-B2
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A（@Tc=70℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：17.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：13mΩ（@Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：17mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V～2.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF（@Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@Vds=15V）
　　二极管正向电压（Vsd）：1.2V（@Is=0.5A）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　存储温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：SOT-23

MAS3587F-B2具备出色的导通特性和开关性能，其核心优势之一是极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下仅为13mΩ，这显著降低了在大电流通过时的功率损耗，提高了系统的能量转换效率。这一特性使其非常适合用于高频率开关电源中，尤其是在同步整流拓扑结构中表现优异。同时，在栅极驱动电压为常见的4.5V时，其Rds(on)仍保持在17mΩ的低水平，表明该器件对逻辑电平驱动具有良好兼容性，能够直接由微控制器或其他低电压控制信号驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。
　　该器件采用了先进的沟槽式（Trench MOS）结构设计，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积下的电流密度，从而在小封装内实现了较高的电流处理能力。此外，其输入、输出和反向传输电容均经过优化，确保了快速的开关响应时间，减少了开关过程中的交越损耗，有助于提高电源系统的整体效率。特别是在轻负载或待机模式下，低栅极电荷（Qg）和低输入电容有助于降低驱动功耗，延长电池供电设备的工作时间。
　　MAS3587F-B2还具备良好的热稳定性和可靠性。其最大结温可达150℃，配合适当的PCB布局和散热设计，可在高温环境下长期稳定运行。内置的体二极管具有较低的反向恢复时间，适用于需要反向电流导通的场合，如H桥驱动或电机控制中的续流路径。此外，该MOSFET在制造过程中严格遵循国际质量管理体系标准，具备高抗浪涌能力和静电放电（ESD）防护能力，增强了在实际应用中的鲁棒性。综合来看，MAS3587F-B2是一款集高性能、小体积与高可靠性于一体的功率MOSFET，适用于多种现代电子系统的电源管理需求。

MAS3587F-B2广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的DC-DC升压或降压转换器，作为主开关或同步整流开关使用，有效提升转换效率并减少发热。在电池供电系统中，它常被用作负载开关，控制不同功能模块的电源通断，实现节能管理和电源隔离。例如，在智能手机和平板电脑中，可用于摄像头模组、显示屏背光或传感器模块的供电控制。
　　此外，该器件也适用于LED驱动电路，特别是白光LED背光驱动，能够以低导通损耗精确控制电流路径，保障亮度稳定性和系统能效。在电源多路复用（Power MUX）电路中，MAS3587F-B2可用于自动切换主辅电源（如USB供电与电池供电之间的切换），确保系统持续稳定运行。
　　工业和消费类电子产品中的电机驱动、继电器驱动以及小功率电源适配器也是其常见应用领域。得益于其SOT-23小型封装，该器件非常适合高密度PCB布局，尤其适用于空间受限的可穿戴设备、物联网终端和微型传感器节点。同时，其良好的开关特性使其可用于高频PWM调光或调速控制，满足精密控制需求。总之，MAS3587F-B2凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，在现代低功耗、高集成度电子系统中发挥着关键作用。

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　　 "AO3400",
　　 "SI2302",
　　 "DMG2302U",
　　 "FDS6670A",
　　 "BSS138"
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