时间：2025/8/12 2:25:04
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MAQ5283-5.0YME 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源转换、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等高功率场合。该 MOSFET 的最大漏极电流能力较高，具备较低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。MAQ5283-5.0YME 采用 TO-263（D2Pak）封装，具备良好的散热性能，适合在中高功率应用中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流(Id)：30A（最大）
漏极-源极电压(Vds)：55V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：5.0mΩ（最大）@ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：70nC（典型）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2Pak）
MAQ5283-5.0YME 具备多项优异特性，使其适用于高性能功率转换应用。首先，其导通电阻仅为 5.0mΩ，这显著降低了在高电流工作时的导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件支持高达 30A 的连续漏极电流，适用于需要大电流承载能力的应用场景。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽，可在 4.5V 到 20V 之间工作，支持多种驱动电路设计。
该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在导通电阻、开关速度和热稳定性之间达到良好平衡。此外，MAQ5283-5.0YME 的封装形式为 TO-263（D2Pak），具有良好的热管理能力，适合表面贴装，便于在 PCB 上安装和散热处理。该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了其在极端工作条件下的可靠性。
值得一提的是，MAQ5283-5.0YME 还具有较低的栅极电荷（Qg）特性，这有助于提高其开关速度并减少开关损耗，使其适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和马达控制电路。
MAQ5283-5.0YME 主要应用于需要高电流、低导通损耗和高可靠性的功率电子系统中。常见应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、电源管理模块、电机驱动器、工业自动化设备以及电源适配器等。由于其低导通电阻和良好的热性能，该 MOSFET 非常适合用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。此外，在新能源汽车、储能系统和智能电网等新兴应用领域，该器件也表现出良好的适应性和稳定性。
SiHF5283-E3, FDP5283HL, IRF5283PBF
