时间：2025/9/3 6:24:20
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MAM0760A 是一款由 STMicroelectronics 生产的高效能、低功耗的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用。该器件采用先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：10A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：最大40mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220、D2PAK、PowerSO-10
MAM0760A 的核心优势在于其优异的导通和开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低功率损耗，提高系统效率。同时，该器件具有快速的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高系统的整体功率密度。此外，MAM0760A 具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
在封装方面，MAM0760A 提供多种封装选项，包括 TO-220、D2PAK 和 PowerSO-10，满足不同应用场景对散热和空间的要求。其高耐压能力和较大的连续漏极电流能力使其适用于多种电源转换拓扑，如同步整流、半桥和全桥电路。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高可靠性，适合用于汽车电子、工业自动化和消费类电子等对稳定性和耐久性要求较高的场合。
MAM0760A 广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、UPS（不间断电源）、逆变器以及各种电源管理模块。其高效率和高可靠性也使其成为汽车电子系统（如车载充电器和电动助力转向系统）中的理想选择。
IRFZ44N, STP10NK60Z, FDPF0760A
