时间：2025/7/31 4:30:31
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MADL-011021-14150T 是一款由 MACOM（Microchip Technology 旗下公司）生产的 GaAs（砷化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）场效应晶体管（FET），主要用于射频（RF）和微波频率范围内的低噪声放大应用。该器件在高频范围内表现出卓越的噪声性能和高增益，适用于通信系统、测试设备、雷达以及军事和航空航天等高性能要求的领域。该晶体管采用表面贴装封装形式，便于集成到高频电路中。
工作频率范围：14 GHz 至 15 GHz
噪声系数（NF）：0.5 dB（典型值）
增益：18 dB（典型值）
输出功率：20 dBm（典型值）
漏极电流（Id）：60 mA（典型值）
工作电压：4 V（典型值）
封装类型：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
MADL-011021-14150T 是一款专为高频低噪声应用设计的 GaAs HEMT 晶体管，具有优异的噪声性能，在 14 GHz 至 15 GHz 的工作频率范围内噪声系数低至 0.5 dB，这使其非常适合用于高灵敏度接收器前端。其增益可达 18 dB，确保信号在经过放大后保持高质量。晶体管的输出功率为 20 dBm，适用于需要适度输出功率的射频系统。该器件的漏极电流为 60 mA，工作电压为 4 V，具有良好的功耗管理特性。
封装方面，MADL-011021-14150T 采用表面贴装封装，有助于简化 PCB 设计并提升高频性能。此外，其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，能够在极端环境下保持稳定运行，适合工业级和军事级应用。该晶体管还具备良好的线性度和稳定性，减少了对额外外部匹配电路的需求，降低了设计复杂性。
在可靠性方面，该器件采用 GaAs 材料制造，具有高电子迁移率和优异的高频响应，能够在高频应用中提供稳定可靠的性能。MACOM 作为高性能射频半导体器件的领先制造商，确保该器件符合严格的工业标准。
MADL-011021-14150T 主要应用于需要高频率和低噪声放大的射频系统，包括卫星通信、点对点微波通信、测试与测量设备、雷达系统、医疗成像设备以及军事和航空航天领域的高性能电子系统。由于其低噪声系数和高增益特性，该器件常被用于接收器前端放大器，以提高系统整体的信号接收灵敏度。此外，该晶体管也可用于无线基础设施中的中继器和基站系统，支持 5G 等新一代通信技术的发展。
在测试设备方面，该器件可用于频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪等高频测试仪器中，以确保测量的精确性和稳定性。由于其紧凑的封装形式，该晶体管还适用于空间受限的高密度 PCB 设计，广泛用于现代通信设备的小型化趋势中。
MADL-011021-14150T 的替代型号包括 MADL-011021-14150 和类似的低噪声 GaAs HEMT 晶体管，如 ATF-54143（Broadcom）和 CGH40010F（Wolfspeed）。这些器件在性能参数上相似，可根据具体应用需求进行选择。
