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MAASU21GSB7105KTNA01 发布时间 时间:2025/6/30 12:28:26 查看 阅读:8

MAASU21GSB7105KTNA01是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等高效率电力电子设备。该芯片采用先进的沟槽式结构设计,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低能量损耗并提升系统整体性能。
  该型号属于某知名半导体厂商旗下的高端功率器件系列,专为工业级和汽车级应用而设计,具有出色的可靠性和稳定性。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  电压等级:650V
  持续漏极电流:50A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:85nC
  反向恢复时间:35ns
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

MAASU21GSB7105KTNA01的核心优势在于其卓越的电气性能与可靠性:
  1. 超低导通电阻(Rds(on)),有效减少传导损耗,在大电流应用场景下表现尤为突出。
  2. 快速开关速度,确保高频运行时的效率最大化,同时降低电磁干扰。
  3. 高雪崩耐量能力,增强对异常情况下的保护功能。
  4. 稳定的工作温度区间,即使在极端环境下也能保持正常运行。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保,适合长期使用。
  此外,该芯片还具有较强的抗静电能力以及优化的热管理设计,进一步提升了其在复杂工况中的适应性。

应用

这款MOSFET适用于多种领域,涵盖消费电子、工业自动化及汽车电子等方面:
  1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器用于电压调节和负载控制。
  3. 电动工具、家用电器里的电机驱动电路。
  4. 新能源汽车中的车载充电器、逆变器模块。
  5. 光伏逆变器系统以实现高效的能量转换。
  6. 各类保护电路,如过流保护、短路保护等场景。

替代型号

MAASU21GSA7105KTNA01
  IRFP4468PBF
  FDP18N65C
  STW84N65DM2

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MAASU21GSB7105KTNA01参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.51227卷带(TR)
  • 系列MAAS
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-