HY27UT088G5M-TPIB 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于8GB容量级别的NAND闪存器件,采用TSSOP封装形式,适用于嵌入式存储应用。NAND闪存是一种非易失性存储器(Non-Volatile Memory),即使在断电情况下也能保留数据。HY27UT088G5M-TPIB 采用8位并行接口,支持高速数据读写,适用于需要大容量存储和高性能的应用场景。
品牌:SK Hynix
型号:HY27UT088G5M-TPIB
存储类型:NAND Flash
容量:8GB
封装类型:TSSOP
接口:8位并行接口
电压:3.3V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
读取速度:最高可达50MB/s
写入速度:最高可达20MB/s
擦除速度:最高可达2ms/块
页面大小:2KB
块大小:128KB
ECC要求:需要ECC校正
HY27UT088G5M-TPIB NAND闪存芯片具有多项显著的特性,适用于嵌入式系统和便携式设备。首先,其8GB的存储容量为用户提供了充足的存储空间,适用于存储操作系统、应用程序和用户数据。TSSOP封装形式使其在PCB上的布局更加紧凑,适合空间受限的应用场景。
该芯片支持3.3V电源电压,具有较宽的工作温度范围(-40°C至+85°C),使其适用于工业级环境。8位并行接口提供了较高的数据传输速率,支持快速读取和写入操作,最高读取速度可达50MB/s,写入速度可达20MB/s,适用于对性能有一定要求的应用场景。
每个页面的大小为2KB,块大小为128KB,擦除操作时间仅为2ms/块,提高了存储管理的效率。此外,该芯片支持ECC(错误校正码)功能,需要外部控制器进行数据校正,以确保数据的完整性和可靠性,适用于对数据稳定性要求较高的系统。
由于其非易失性特性,HY27UT088G5M-TPIB可以在断电情况下保持数据,降低了系统的功耗需求。该芯片还支持多种操作模式,包括缓存编程和多平面操作,进一步提升读写性能。
HY27UT088G5M-TPIB NAND闪存芯片广泛应用于各种嵌入式系统和便携式电子设备中。由于其较大的存储容量和较高的读写性能,该芯片常用于工业控制设备、智能仪表、医疗设备和通信设备中,作为系统存储器或数据存储单元。
在消费类电子产品中,该芯片可用于数码相机、MP3播放器、便携式游戏机等设备,存储操作系统、应用程序和用户数据。由于其TSSOP封装形式和低功耗特性,HY27UT088G5M-TPIB也非常适合用于嵌入式Linux系统、Android设备和智能卡等应用。
此外,该芯片还可用于固态硬盘(SSD)控制器、车载导航系统和工业自动化设备中,作为可靠的非易失性存储解决方案。其宽温工作范围和高可靠性使其适用于恶劣环境下的工业应用,如工厂自动化、智能电网和远程监控系统。
K9F5608U0D-SIB0, TC58NVG1S3BFT00, MT29F8G08ABAFAB4