时间：2025/8/6 16:09:14
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MAAPGM0026-DIE 是一款由 MACOM（Microsemi）推出的射频（RF）和微波放大器芯片，采用裸芯片（die）形式提供，适用于高频、高性能射频系统设计。该器件主要面向通信、测试仪器、航空航天和国防等领域的射频前端应用。由于其裸芯片设计，MAAPGM0026-DIE 适用于需要定制封装或集成到多芯片模块（MCM）中的高阶应用场合。
频率范围：26 GHz - 40 GHz
输出功率：24 dBm（典型值）
增益：20 dB（典型值）
工作电压：8 V
工作电流：350 mA（典型值）
输入/输出阻抗：50 Ω（匹配设计）
封装形式：裸芯片（Die）
工艺技术：GaAs pHEMT
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
MAAPGM0026-DIE 是一款基于 GaAs pHEMT 工艺制造的高线性度毫米波功率放大器芯片，设计用于 26 GHz 至 40 GHz 的高频应用。其裸芯片形式允许设计者根据特定需求进行灵活的封装与集成，非常适合用于毫米波雷达、5G 通信、卫星通信、测试与测量设备等高性能射频系统。该芯片在高频率下表现出优异的增益平坦度和输出功率稳定性，同时具备良好的热稳定性和可靠性。此外，MAAPGM0026-DIE 在设计上优化了线性度与效率之间的平衡，使得其在高数据速率传输系统中表现优异。芯片内部的匹配网络优化了输入和输出的50Ω匹配，简化了外部电路设计，同时保证了在毫米波频段的高性能表现。由于其高工作频率范围，该芯片广泛用于新兴的E波段通信和雷达应用中。
MAAPGM0026-DIE 主要应用于高频毫米波系统，包括5G毫米波基站、E波段点对点微波通信、毫米波雷达（如汽车雷达、气象雷达）、卫星通信系统、测试与测量设备、军用通信与电子战系统等。由于其裸芯片形式，特别适合需要多芯片集成（MCM）或定制封装的高端射频模块设计。
MAAP-011121-SML、HMC462MS8GE、HMC563LP4BTF
