STP4407是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装。这款器件专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计,适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该MOSFET具有较低的导通电阻和较高的雪崩击穿能力,能够在严苛的工作条件下提供稳定的性能。
STP4407的主要特点是其低导通电阻Rds(on),能够显著降低功率损耗,提高系统的整体效率。同时,它的快速开关特性和稳健的保护机制使其成为工业和消费类电子应用的理想选择。
型号:STP4407
类型:N沟道功率MOSFET
Vds(漏源极电压):70V
Rds(on)(导通电阻,典型值):40mΩ
Id(连续漏极电流):45A
封装:TO-220
栅极电荷(Qg):18nC
输入电容(Ciss):1390pF
反向恢复时间(trr):60ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
STP4407是一款高性能的功率MOSFET,具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻:在Vgs=10V时,Rds(on)仅为40mΩ,有助于降低传导损耗。
2. 高电流处理能力:支持高达45A的连续漏极电流,适合大功率应用。
3. 快速开关速度:较小的栅极电荷和反向恢复时间确保了高效的开关操作。
4. 坚固耐用:具备良好的雪崩击穿能力和热稳定性,能在极端环境下可靠运行。
5. 紧凑封装:TO-220封装便于散热且易于集成到各种电路中。
6. 广泛的工作温度范围:支持从-55℃到+175℃的温度区间,适应多种应用场景。
STP4407因其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 负载开关
5. 过流保护电路
6. 工业自动化设备
7. 消费类电子产品中的电源管理模块
由于其低导通电阻和高电流能力,STP4407特别适合需要高效能量转换和稳定输出的应用场景。
STP44NF07L
IRFZ44N
FDP5570
IXFN44N07T2