工作频率范围：DC ~ 10 GHz
　　增益：约20 dB（典型值）
　　噪声系数：0.8 dB ~ 1.5 dB（随频率变化）
　　输出P1dB：+15 dBm（典型值）
　　OIP3：+30 dBm（典型值）
　　工作电压：3 V ~ 5 V
　　静态电流：70 mA（典型值）
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：4 mm × 4 mm QFN
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

MAAM28000-A1具备多项先进特性，使其在高性能射频前端设计中脱颖而出。首先，它采用了MACOM成熟的GaAs pHEMT工艺，这种半导体技术以其高电子迁移率、优异的高频响应和低功耗特性著称，能够在GHz级别的频率下保持稳定的增益和极低的噪声水平。该器件在2 GHz至6 GHz频段内可实现低于1.2 dB的噪声系数，这对于接收链路中的第一级放大至关重要，有助于提升整个系统的信噪比（SNR）和接收灵敏度。
　　其次，MAAM28000-A1内置了输入和输出匹配网络，减少了对外部LC元件的依赖，从而降低了设计难度和物料清单（BOM）成本。同时，其片上集成的偏置电路支持通过单电源供电进行稳定工作，用户仅需通过射频扼流电感将直流电压引入漏极即可完成供电配置，栅极则可通过电阻网络自动设置工作点，无需复杂的负压生成电路，极大简化了电源管理设计。
　　再者，该放大器具有良好的线性性能，三阶交调截点（OIP3）高达+30 dBm，表明其在处理高功率或多载波信号时仍能保持较低的失真水平，适用于需要高动态范围的应用场景，如军用雷达和宽带通信系统。此外，其宽频带响应能力允许在多个频段内复用同一型号，减少库存种类，提高系统设计灵活性。
　　最后，MAAM28000-A1在热管理和可靠性方面也表现出色。QFN封装不仅体积小、重量轻，还具备优良的散热性能，确保长时间高负荷运行下的稳定性。器件通过了严格的工业级环境测试，包括温度循环、湿热试验和ESD防护（HBM > 2 kV），适合部署于严苛的户外或移动环境中。

MAAM28000-A1广泛应用于对射频性能要求严苛的领域。在无线通信基础设施中，它常被用于基站接收机前端，以增强微弱信号的采集能力，特别是在5G毫米波回传链路和小型蜂窝（Small Cell）系统中发挥关键作用。在国防与航空航天领域，该器件适用于相控阵雷达、电子对抗（ECM）、信号情报（SIGINT）和战术通信系统，因其宽频带、低噪声和高线性度特性，能够有效支持多模式、多频段作战需求。
　　此外，在测试与测量仪器中，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪，MAAM28000-A1作为前置放大器可显著提升仪器的检测精度和动态范围，尤其是在低电平信号测量时表现突出。在卫星通信地面站设备中，该LNA用于L波段和S波段的上变频或下变频模块，帮助克服长距离传输带来的信号衰减问题。
　　科研和医疗成像系统也是其重要应用方向之一。例如，在射电天文望远镜或核磁共振（NMR）系统中，需要极高灵敏度的前端放大器来捕捉极其微弱的电磁信号，MAAM28000-A1凭借其超低噪声系数和稳定增益响应成为理想选择。同时，由于其封装小巧且易于集成，也可用于无人机通信链路、便携式监测设备和宽带中继器等空间受限但性能要求高的场合。

MAAM28001-A1
　　MAAM28002-A1
　　PGA-105+
　　LMH6322