类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：NPN双极型晶体管（BJT）
　　最大集电极电流：200mA
　　最大集电极-发射极电压：15V
　　最大发射极-基极电压：3V
　　最大功耗：100mW
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：SOT-89
　　频率范围：高达1GHz
　　增益（hFE）：典型值为50@100MHz
　　输入/输出阻抗：50Ω匹配设计

RF1195SR的主要特性之一是其在高频环境下仍然能够保持良好的放大性能，这使得它非常适合用于UHF和VHF频段的应用。其高增益特性确保了信号可以被有效地放大，而无需额外的前置放大器级。此外，该器件的热稳定性和抗过载能力也经过优化，可以在恶劣的环境条件下保持稳定的工作状态。
　　另一个重要特性是其封装形式采用了SOT-89小型封装，这种封装不仅有助于降低寄生电感，还能提供良好的散热性能，确保器件在高功率运行时的稳定性。此外，RF1195SR的输入和输出端口经过内部匹配设计，支持50Ω系统阻抗，从而简化了外围电路的设计并减少了匹配网络的复杂性。
　　该晶体管还具备较低的噪声系数，使其在低噪声放大器（LNA）设计中也能表现出色。同时，其优异的线性度和稳定性使其适用于需要高保真度信号放大的应用场合，例如无线通信系统和射频测试设备。
　　最后，RF1195SR的制造工艺符合RoHS环保标准，适合用于各种环保型电子产品设计中。

RF1195SR广泛应用于需要高频率和高增益放大的电子系统中。典型应用包括无线通信基站中的射频功率放大器、工业射频加热设备中的驱动级放大器、医疗射频治疗设备中的信号放大模块、以及射频测试仪器中的中继放大器等。此外，它也可以用于无线数据传输系统、卫星通信前端放大器、以及各种需要UHF/VHF频段放大的场景。
　　由于其良好的高频性能和稳定的热管理能力，RF1195SR也非常适合用于需要长时间连续工作的工业和通信设备中。

RF1195SR的替代型号包括RF1195S、RF1175SR、BFQ67、以及BFU520。这些器件在性能和封装方面具有相似的特点，可以在某些应用中作为替代选择。