MA730GQ 时间：2025/8/20 0:37:41 阅读：6

MA730GQ 是一款由 MagnaChip 半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效能电源管理和功率转换应用而设计，广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电源分配系统等。MA730GQ 采用先进的高密度沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和良好的热稳定性，适用于高频率开关操作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：480A
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

MA730GQ 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs = 10V 时，典型值为 2.9mΩ，最大值为 3.4mΩ。这一特性显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了电流密度和热性能，使其在高电流应用中依然保持良好的稳定性。
　　该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力，能够有效应对突发的电压尖峰和过载情况，增强了器件在严苛环境下的可靠性。其 TO-263（D2PAK）封装形式不仅具备良好的散热性能，还支持表面贴装工艺（SMT），便于在高密度 PCB 设计中使用。
　　MA730GQ 还具备快速开关特性，具有较低的输入电容（Ciss）和反向恢复电荷（Qrr），适合高频开关应用，如同步整流、马达控制和负载开关等。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 和 12V 驱动电压，兼容多种控制器和驱动 IC。

应用

MA730GQ 主要应用于需要高效率和高电流承载能力的电源系统中。典型应用包括服务器电源、电信设备电源、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达驱动器和工业自动化设备中的功率控制电路。
　　在服务器和通信设备中，MA730GQ 常用于多相位降压转换器中，作为主开关或同步整流器，以提高转换效率并降低散热需求。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路。此外，在电机控制和电源管理模块中，MA730GQ 的快速开关特性和低导通电阻使其成为高性能功率开关的理想选择。