类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：18A（@25℃）
　　功耗（Pd）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.032Ω（@Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-220AB、D2PAK

MA4445 MOSFET采用先进的沟槽栅技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其最大漏源电压为60V，适用于中高功率的开关应用。该器件的连续漏极电流可达18A，能够承受较大的负载电流，适用于电源管理、DC-DC转换器和电机控制等高要求的电路设计。
　　此外，MA4445的栅源电压范围为±20V，具有良好的栅极保护能力，防止因过高的栅极电压导致损坏。其最大功耗为125W，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。MA4445的封装形式包括TO-220AB和D2PAK，这两种封装都具有良好的热管理和机械强度，适用于工业级应用。
　　该MOSFET具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器等应用。同时，其内部结构设计优化，提高了器件的可靠性和耐用性，适合在恶劣环境下长期运行。

MA4445广泛应用于各类功率电子设备中，尤其是在开关电源（SMPS）中作为主开关器件使用，能够有效提高电源的转换效率并减小体积。该器件也常用于DC-DC转换器中，如升压（Boost）、降压（Buck）以及反相（Flyback）拓扑结构，适用于笔记本电脑适配器、工业电源模块、LED驱动器等产品。
　　在电机控制领域，MA4445可用于H桥驱动电路中，控制直流电机或步进电机的正反转及调速，适用于电动工具、机器人、自动化设备等场合。此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源应用领域。
　　由于其良好的热稳定性和高可靠性，MA4445也可用于汽车电子系统中的功率控制模块，如电动助力转向系统（EPS）、车窗控制、座椅调节等应用场景。

IRFZ44N, FDP6030L, Si4410BDY, AO4407